技术编号：6955556
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体，尤其涉及形成双镶嵌结构的方法以及半导体器件。 背景技术随着半导体技术的发展，集成电路的集成度越来越高，器件的特征尺寸(CD)越来越小，为了减小器件的RC(电阻电容)延迟，使用的介质层的材料越来越向低k(介电常数) 材料方向发展。现有技术中，在低k介质层中形成双镶嵌结构的方法为参考图la，提供基底10，在该基底10上形成有第一介质层11，第一介质层11的材料为SiOCH(碳氧化硅)，在该第一介质层11中形成有铜互连结构111，该铜互连结构为...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。