技术编号:6956389
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及,尤其涉及垂直型金属-绝缘物-金属 (metal-insulator-metal, MIM)电容器。背景技术于集成电路中已广泛地应用了电容器(capacitor)。电容器的电容量正比于电容 器区域与绝缘层的介电常数(dielectric constant, k)与反比于绝缘层的厚度。因此,为 了增加电容量,需较佳地增加电容器区域与介电常数,以及降低绝缘层的厚度。关于增加区域的问题之一在于需要较大的晶片区域。位于集成电路内的公知金 属-绝缘物-金属...
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