技术编号：6957676
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体元件的制作，且特别是涉及制作一(或部分的)鳍式场效应晶体管(FinFET)的方法。背景技术随着半导体工业已进展至纳米技术工艺节点以追求更高的元件密度、更佳的性能、及更低的成本，已在三维设计(例如，鳍式场效应晶体管)的发展中造成制作与设计上的挑战。栅极提供于鳍状结构上(例如，栅极包着鳍状结构)。在沟道的两侧上具有栅极有助于自两侧来对沟道进行栅极控制。鳍式场效应晶体管的更进一步的好处包括减少短沟道效应(short channel effec...
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