技术编号：6958000
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体，尤其涉及形成MOS晶体管及其方法。 背景技术MOS晶体管包括栅极，栅极和衬底之间的栅介质层，源区和漏区，且源区和漏区容易产生漏电流。该漏电流的存在会影响最终形成的半导体器件的性能。公开号为“US7572712B2”的美国专利公开了一种形成NMOS晶体管的方法。图Ia 图Ie为现有技术形成MOS晶体管方法的剖面结构示意图。参考图la，提供半导体衬底10，在所述导体衬底10上形成氧化硅层11和氮化硅层12，所述氧化硅层11位于所述半导体衬底...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。