技术编号:6959414
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及揭示一种集成电路,尤其涉及射频(radio frequency,RF)集成电路的 #^(electrostatic discharge, ESD) #才户。背景技术随着集成电路装置的微型化,目前的趋势是生产具有较浅的结深度、较薄的栅极氧化层、微掺杂漏极(lightly-doped drain,LDD)架构、浅沟渠隔离架构(shallow trench isolation, STI)、以及自我对准金属硅化合物(salicide)处理的集成电路,这些...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。