技术编号：6959418
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种低压埋沟VDMOS器件，属于半导体器件。 背景技术功率MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管)是在MOS集成电路工艺基础上发 展起来的新一代电力开关器件。垂直双扩散金属氧化物半导体(VDM0Q器件具有输入阻抗 高、开关速度快、工作频率高、电压控制、热稳定性好等一系列独特特点，目前已在开关稳压 电源、高频加热、计算机接口电路以及功率放大器等方面获得了广泛的应用。VDMOS (垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管)器件虽然在低压应用领域， 可以得到...
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