技术编号：6960642
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造工艺，特别是涉及一种。 背景技术随着集成电路技术的不断发展，特征尺寸的缩小，单元器件接触和整体电路互连的金属化技术已经成为主要的关键技术之一。尤其是在深亚微米器件中，器件集成度和性能的提高更多地依赖金属互连技术，金属互连不仅在单个金属层中互连，而且在多个金属层之间进行互连。在后段工艺中，一般需要在各层金属之间形成含通孔的介电层，其通孔用于填塞金属以与各金属层形成互连。其形成通孔的过程大致为首先提供一器件结构作为衬底， 在所述衬底上方具有...
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