专利名称：光刻工艺的返工方法
技术领域：
本发明涉及半导体制造工艺，特别是涉及一种光刻工艺的返工方法。
背景技术：
随着集成电路技术的不断发展，特征尺寸的缩小，单元器件接触和整体电路互连的金属化技术已经成为主要的关键技术之一。尤其是在深亚微米器件中，器件集成度和性能的提高更多地依赖金属互连技术，金属互连不仅在单个金属层中互连，而且在多个金属层之间进行互连。在后段工艺中，一般需要在各层金属之间形成含通孔的介电层，其通孔用于填塞金属以与各金属层形成互连。其形成通孔的过程大致为首先提供一器件结构作为衬底， 在所述衬底上方具有金属层，其材料可以是铜、铝等，其形成方式可以是例如物理气相沉积 (PVD)、化学气相淀积(CVD)等。然后在金属层上形成一层介电层；再在该介电层上形成掩膜层，该掩膜层材料可以为含碳有机物，用作介电层的光罩。接着在所述掩膜层上形成一层底部抗反射层(BARC)，其材料可以是含硅有机物等。该底部抗反射层可以防止光线通过光刻胶后在衬底界面发生反射，从而保证光刻胶能均勻曝光。然后将光刻胶旋涂于底部抗反射层上，形成具有一定厚度且均勻性好的光刻胶层。然后，使用掩模版对光刻胶层进行曝光，之后，再经过显影，将光刻胶上的可溶解区域用化学显影剂溶解，以将掩模版的图案转移到所述光刻胶层上，形成光刻胶图案。最后，对带有所述光刻胶图案的器件结构进行刻蚀工序，以在介电层中形成通孔。在上述过程中，如果涂胶失败，造成光刻胶层残留缺陷或均勻性差，或者线宽和上下层对准存在较大误差时，就需要进行返工。返工过程涉及到去除所述介电层上的掩膜层、 底部抗反射层和光刻胶层(即“trilayer”，三层结构)，以及重新生成这三层。现有的光刻返工方法常采用等离子体灰化和湿法清洗结合的方法及溶液(溶剂)清洗的方法，但现有的灰化和湿法清洗仅适用于单层光刻胶层的去除，难以彻底清除上述的三层结构。另外，采用溶液清洗来去除所述掩膜层、底部抗反射层和光刻胶层时，所述的清洗溶液常为羟胺化合物， 这些化合物也会对所述介电层和金属层产生腐蚀，而且，可能在器件结构表面形成颗粒缺陷。另外，当使用低介电常数(k)材料形成介电层时，如果该去除工序损伤介电层，会导致其介电常数增大，从而使所得的器件不符合实际要求。因此，目前需要一种适用于后段工序的光刻工艺的返工方法，该方法应能够彻底去除掩膜层、底部抗反射层和光刻胶层，不残留光刻胶，可避免对后续工艺造成影响，并且不应腐蚀介电层和金属层及在器件结构表面形成颗粒缺陷。
发明内容
在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式
部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。
为了能够彻底去除掩膜层、底部抗反射层和光刻胶层，不残留光刻胶，避免对后续工艺造成影响，并且不腐蚀介电层和金属层及在器件结构表面形成颗粒缺陷，本发明提供了一种光刻工艺的返工方法，所述方法包括提供器件结构，所述器件结构上依次形成有金属层、介电层、掩膜层、底部抗反射层和光刻胶层；第一清洗步骤，其中，使用含有硫酸和过氧化氢的水溶液清洗所述器件结构的表面，以去除所述掩膜层、底部抗反射层和光刻胶层；第二清洗步骤，其中，使用去离子水清洗所述器件结构的表面；第三清洗步骤，其中，使用含有氢氧化铵和过氧化氢的水溶液清洗所述器件结构的表面；以及在所述介电层上依次重新形成掩膜层、底部抗反射层和光刻胶层。
根据本发明的上述方法，可彻底去除后段工艺中的掩膜层、底部抗反射层和光刻胶层这三层结构，且省时省力。
优选地，所述含有硫酸和过氧化氢的水溶液为SPM溶液，更优选由98重量％的浓硫酸和30%体积的双氧水按体积比为[2飞]1混合而成。
优选地，所述第一清洗步骤的时间为25-60秒。
优选地，所述含有硫酸和过氧化氢的水溶液的温度为135_180°C。
优选地，所述第一清洗步骤和第二清洗步骤采用喷淋清洗方式。
优选地，所述含有氢氧化铵和过氧化氢的水溶液为SCl清洗液。
优选地，所述SCl清洗液由四重量％的氨水和30体积％的双氧水和水按体积比为1 [广5] [50^200]混合而成。
优选地，所述含有氢氧化铵和过氧化氢的水溶液的温度为20_35°C。
优选地，利用并排设置在同一装置中的两个喷嘴分别实施所述第一清洗步骤和第二清洗步骤。
优选地，在所述第一清洗步骤之后，且所述第二清洗步骤之前，所述方法还依次包括过氧化氢水溶液清洗步骤，其中，利用实施第一清洗步骤的喷嘴将过氧化氢水溶液喷淋至所述器件结构的表面；以及利用所述实施第一清洗步骤的喷嘴回吸所述过氧化氢水溶液。
根据本发明的光刻工艺的返工方法，不仅可以彻底去除掩膜层、底部抗反射层和光刻胶层，没有光刻胶残留，避免对后续工艺造成影响，而且不会腐蚀所述介电层和金属层及在器件结构表面形成新的颗粒缺陷。
本发明的下列附图在此作为本发明的一部分用于理解本发明。附图中示出了本发明的实施例及其描述，用来解释本发明的原理。在附图中图1是本发明所述的返工方法的一个实施方式的流程图。
图2是本发明所述的返工方法的一个优选实施方式中双喷嘴装置分别执行第一清洗步骤和第二清洗步骤的示意图。
图3是使用双喷嘴装置分别执行第一清洗步骤和第二清洗步骤的示意图。
图4为本发明的返工方法的一个优选实施方式的示意图。
具体实施方式
在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本发明更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员来说显而易见的是，本发明可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本发明发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。为了彻底了解本发明，将在下列的描述中提出详细的步骤，以便说明本发明是如何提供一种既可以彻底去除掩膜层、底部抗反射层和光刻胶层，又不会腐蚀介电层和金属层的光刻返工方法。显然，本发明的施行并不限定于半导体领域的技术人员所熟习的特殊细节。本发明的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本发明还可以具有其他实施方式。如前所述，本发明提供了一种依次采用含有硫酸和过氧化氢的水溶液、去离子水和含有氢氧化铵和过氧化氢的水溶液清洗器件结构表面，从而彻底去除掩膜层、底部抗反射层和光刻胶层的方法。在现有技术中，本领域技术人员知晓，含有硫酸和过氧化氢的水溶液由于腐蚀性较强，为避免其损坏后段工艺中的介电层和金属层，一般仅将其用于前段工艺(FEOL)，以去除颗粒或有机物。然而，本发明人发现，当将该水溶液应用于去除后段工艺中的上述三层结构时，也可以取得良好的去除效果，且不会损坏介电层或导致低k介电层的介电常数增大，更不会影响金属层的正常互连。图1的流程图示出了本发明的光刻工艺的返工方法的流程。如图1所示，在步骤SlOl中，提供器件结构，该器件结构上依次形成有金属层、介电层、掩膜层、底部抗反射层和光刻胶层。对于金属层，其金属材料可以是例如铜、铝、铝铜合金等，其形成方式可以是例如物理气相淀积(PVD)、化学气相淀积(CVD)等。所述金属层优选是第一层金属，即所述器件结构中唯一的金属层，因为这样可以尽可能地避免本发明的返工方法对金属层造成不良影响。在形成所述第一层金属之前，所述器件结构表面还可以具有其他预先形成的薄膜层，例如氧化层、阻挡层等。所述金属层上方形成有介电层。所述介电层可采用常用的介电材料来形成，所述介电材料例如是SiO2、黑钻等；如需形成低k 介电层，也可以使用疏松多孔的碳掺杂SiO2等。所述介电层材料不受特别限制。关于掩膜层，该掩膜层材料可以为含碳有机物等，具体实例包括常用的市售产品。其用作介电层的掩膜。所述掩膜层上形成有底部抗反射层(BARC)，其材料可以是含硅有机物等，具体实例包括常用的Si-BARC材料(例如含17 2洲的Si的有机材料)。BARC层上形成有光刻胶层，其材料可以为常用的光刻胶材料，不受特别限制。在本发明中，由于上述光刻胶层存在缺陷， 所以需要进行返工。器件结构上的光刻胶三层(trilayer)结构所用的形成方法都是本领域已知的，其原料亦可从各大厂商购得，在此不再赘述。然后，在步骤S102中，进行第一清洗步骤，即，用所述含有硫酸和过氧化氢的水溶液清洗所述器件结构表面，以去除所述掩膜层、底部抗反射层和光刻胶层。根据本发明的一个优选实施方式，所述第一清洗步骤采用喷淋清洗。将需要去除掩膜层、底部抗反射层和光刻胶层的器件结构送入喷淋清洗装置中，置于所述装置旋转密封腔内的片架上，将已预先加热好的所述含有硫酸在喷嘴处和过氧化氢的水溶液混合，并通过喷嘴喷淋到高速旋转的器件结构上。优选使喷嘴与所述器件结构之间的距离在喷淋最佳扩散射程之内，以保证达到最佳的清洗效果。所述清洗液在一定压力作用下进入喷淋的管道，通过喷嘴形成射流， 在物理和化学反应的共同作用下，去除掩膜层、底部抗反射层和光刻胶层。所述喷嘴可以控制液滴的大小、喷淋速度保持均勻，在保证清洗效果的同时，可以抑制对器件结构表面的损伤。所述装置可以为任何能进行喷淋清洗的单器件结构或多器件结构处理装置，其均可实现本发明的技术效果。使用所述喷淋技术可以在确保有效清洗的前提下减少清洗液的用量，同时不会对器件结构上的所述金属层产生腐蚀。
所述含有硫酸和过氧化氢的水溶液可采用任意比例的硫酸和过氧化氢。不过，为了实现更好的清洗效果，优选采用现有技术中用作清洗液的SPM溶液(或称为piranha溶液)。一般来说，从便利性考虑，该含有硫酸和过氧化氢的水溶液可采用98重量％的浓硫酸和30体积％的双氧水(注尽管“双氧水”亦可称为“过氧化氢水溶液”，但本申请中为描述方便考虑，将用于制备清洗液的过氧化氢水溶液原料称为“双氧水”，下同)将按一定的体积比例混合而成，因为这两种溶液都是常用的溶液。优选情况下，所述混合比例可以是[2-6] 1。
在优选情况下，采用所述含有硫酸和过氧化氢的水溶液(优选是按上述优选比例混合而成的SPM溶液)进行清洗的时间为25-60秒，这样，可以有效地对器件结构表面进行清洗，又可以节省清洗所用的材料和能源。
在优选情况下，所述含有硫酸和过氧化氢的水溶液的温度为135_180°C，以获得更好的清除效果。
然后，在步骤S103中，进行第二清洗步骤，即，用去离子水清洗所述器件结构表面。根据本发明的一个优选实施方式，采用喷淋清洗方式，并且与所述第一清洗步骤在同一装置内进行。为了便利性考虑，如图2所示，可以利用该装置中的与执行第一清洗步骤的喷嘴1并排设置的喷嘴2将去离子水持续不断地喷淋到器件结构3上，进行多次、反复的冲洗，以洗掉器件结构3上残留的所述含有硫酸和过氧化氢的水溶液。也即，利用并排设置在同一装置中的两个喷嘴分别实施所述第一清洗步骤和第二清洗步骤。作为实例，可使用市售的清洗装置。
接着，在步骤S104中，进行第三清洗步骤，即，用含有氢氧化铵和过氧化氢的水溶液清洗所述器件结构表面，以去除表面上残留的颗粒。所述含有氢氧化铵和过氧化氢的水溶液可以是以任意比例混合的水溶液。不过，本发明中优选采用1号标准清洗液(SC1溶液)。SCl是由氢氧化铵、过氧化氢和水组成的清洗液，这三种化学物的配比可以为1 1 5至1 2 7 (体积比)，但也可扩展至含更多过氧化氢和水的清洗液。从便利性考虑，在制备时，可采用四重量％的氨水和30体积％的双氧水和水按一定的体积比例混合而成，因为这两种溶液都是常用的溶液。优选情况下，所述混合比例可以是1: (1、) (50^200)。
在优选情况下，所述含有氢氧化铵和过氧化氢的水溶液的温度为20-35°C，以尽可能地避免对介电层造成损伤。
根据本发明的一个优选实施方式，将用于清洗器件结构的所述含有氢氧化铵和过氧化氢的水溶液存放于湿法清洗设备如化学槽内。所述化学槽可以分为内外槽、循环管路、 循环泵、加热或控温器、过滤器，其中内槽充满所述含有氢氧化铵和过氧化氢的水溶液用于器件结构的清洗。然后，将经过去离子水冲洗干净的器件结构置于内槽中，所述含有氢氧化铵和过氧化氢的水溶液在循环泵的带动下，从化学外槽通过循环管路，一路经由加热或控温器(可控制为常温)、过滤器到达化学内槽，多余的所述含有氢氧化铵和过氧化氢的水溶液则从内槽再溢出到外槽，从而完成一次循环。这样，可以保持所述含有氢氧化铵和过氧化氢的水溶液的清洁度，也可以保持其温度。经过上述三个清洗步骤之后，彻底去除了掩膜层、底部抗反射层和光刻胶层，没有光刻胶残留，并且不会腐蚀所述介电层和金属层。但发明人同时发现，由于所述含有硫酸和过氧化氢的水溶液的粘度比较高，可能会附着在图2所示的喷嘴1的内壁或出口处，这种附着的水溶液进而可能会在介电层上产生新的颗粒缺陷。具体地说，在利用并排设置在同一装置中的两个喷嘴分别实施所述第一清洗步骤和第二清洗步骤的情况下，如图3所示，由于该喷嘴1与喷嘴2并排设置，在后续的清洗步骤中，当使用喷嘴2喷淋去离子水进行清洗时，喷嘴1仍然位于所清洗的器件结构的上方，因此喷嘴1 (尽管)中附着的例如SPM水溶液有可能会滴落在所述器件结构3的表面，从而形成少量的颗粒缺陷。此类颗粒缺陷由于粘度很大，当其附着在介电层表面时，后续步骤中很难通过去离子水或SCl清洗液将其去除。发明人的实验结果表明，经过上述方法清洗后的器件结构表面(即介电层)上有时仍残留有近1000个颗粒(按直径0. 12 μ m以上的颗粒计)。为了得到更好的清洗效果，去除可能残留的上述颗粒，可选择地但优选地，在步骤 S102之后设置步骤S102丨(参见图4)，S卩，利用喷出所述含硫酸和过氧化氢的水溶液(执行第一清洗步骤)的喷嘴1向所述器件结构3表面喷淋过氧化氢水溶液，以去除或稀释附着在喷嘴1的内壁或出口处及器件结构3表面的例如高粘度SPM水溶液。例如，如图4所示，在步骤S102丨中，可以将过氧化氢水溶液通过喷嘴1喷淋到上述已经去除掩膜层、底部抗反射层和光刻胶层的器件结构3 (表面为介电层)上，从而去除喷嘴1的内壁所附着的含有硫酸和过氧化氢的水溶液，同时也可以稀释在器件结构3表面残留的所述含有硫酸和过氧化氢的水溶液，以利于清洁效果的达成。在优选情况下，所述过氧化氢水溶液的浓度为25-35%。更优选地，所述过氧化氢水溶液的浓度为四-33%。在优选情况下，采用所述过氧化氢水溶液进行清洗的时间为10-20秒。更优选地， 采用所述过氧化氢水溶液进行清洗的时间为13-18秒。在优选情况下，所述过氧化氢水溶液的温度为20-25°C之间。这样，可以达到降低器件结构表面温度的效果。发明人发现，在步骤S102之后设置步骤S102 ’，可以降低所述含有硫酸和过氧化氢的水溶液的粘度，减少其在喷嘴1内壁上的附着，同时也减少其在器件结构3表面的残留；另外，当过氧化氢水溶液温度为20-25°C时，还可以降低器件结构3表面的温度。但应当理解的是，所述用过氧化氢水溶液清洗器件结构3表面的步骤仅是优选的步骤，且可以省略。因为，采用包括如图1所示的方法之后，就可以达到去除掩膜层、底部抗反射层和光刻胶层的目的。然后，如图4所示，在用过氧化氢水溶液清洗所述器件结构3表面之后，设置回吸 (suck back)所述过氧化氢水溶液的步骤S102' ’，以避免在执行步骤S103时所述过氧化氢水溶液滴落或残留在所述器件结构3表面。根据本发明的一个优选实施方式，利用回吸装置产生的回吸力，将所述过氧化氢水溶液吸回。所述回吸装置利用形成阀体内部相对于外界大气压一定量的压差，从而控制阀门关闭，使内压减小产生回吸力，在所述过氧化氢水溶液被回吸的同时阻断其流路。因此，可以防止其滴落在器件结构表面，从而形成颗粒。
通过在第一清洗步骤之后增加用过氧化氢水溶液清洗所述器件结构表面3和回吸所述过氧化氢水溶液的步骤S102'和S102'丨，在彻底去除掩膜层、底部抗反射层和光刻胶层的同时，可避免在所述器件结构3表面形成新的颗粒缺陷。实验结果表明，直径为 0. 12 μ m以上的颗粒的数目降低到了约50个。
最后，在步骤S105中，在所述器件结构3表面重新依次形成掩膜层、底部抗反射层和光刻胶层。将经过前述处理得到的表面干净的器件结构，重新依次形成掩膜层、底部抗反射层和光刻胶层，并进行曝光、显影，把掩模版图形转移到所述新形成的光刻胶层上。由于此步骤为返工步骤，这些层可用的材料请参见上文对所提供的原始器件结构的描述。
图4示出了采用双喷嘴装置实施本发明的返工方法的一个优选实施方式的示意图。与图1不同，该优选实施方式利用并排设置在同一装置中的两个喷嘴1和2分别实施所述第一清洗步骤和第二清洗步骤。
具体地说，在步骤SlOl中，与图1类似，提供器件结构，所述器件结构上依次形成有金属层、介电层、掩膜层、底部抗反射层和光刻胶层。
在步骤S102中，执行第一清洗步骤，其中，使用含有硫酸和过氧化氢的水溶液清洗所述器件结构的表面，以去除所述掩膜层、底部抗反射层和光刻胶层。
在步骤S102’中，执行过氧化氢水溶液清洗步骤，其中，利用实施第一清洗步骤的喷嘴1将过氧化氢水溶液喷淋至器件结构3的表面；在步骤S102’’中，利用所述实施第一清洗步骤的喷嘴1回吸所述过氧化氢水溶液。
在步骤S103中，执行第二清洗步骤，其中，将去离子水通过喷嘴2喷淋到器件结构 3上，以清洗该器件结构3的表面。
在步骤S104中，使用含有氢氧化铵和过氧化氢的水溶液清洗所述器件结构的表
在步骤S105中，在所述介电层上依次形成掩膜层、底部抗反射层和光刻胶层。
根据本发明所述的方法，不仅可以在光刻返工中彻底去除掩膜层、底部抗反射层和光刻胶层，还可以应用于半导体后段工艺中其他涉及去除光刻胶的工序，例如在完成刻蚀或离子注入后去除晶片表面的光刻胶。
根据如上所述的实施方式制造的半导体器件结构可应用于多种集成电路(IC)中。 根据本发明的IC例如是存储器电路，如随机存取存储器(RAM)、动态RAM(DRAM)、同步DRAM (SDRAM)、静态RAM(SRAM)、或只读存储器(ROM)等等。根据本发明的IC还可以是逻辑器件， 如可编程逻辑阵列(PLA)、专用集成电路(ASIC)、合并式DRAM逻辑集成电路(掩埋式DRAM) 或任意其他电路器件。
根据本发明的IC芯片可用于例如用户电子产品，如个人计算机、便携式计算机、 游戏机、蜂窝式电话、个人数字助理、摄像机、数码相机、手机等各种电子产品中，尤其是射频产品中。
本发明已经通过上述实施例进行了说明，但应当理解的是，上述实施例只是用于举例和说明的目的，而非意在将本发明限制于所描述的实施例范围内。此外本领域技术人员可以理解的是，本发明并不局限于上述实施例，根据本发明的教导还可以做出更多种的变型和修改，这些变型和修改均落在本发明所要求保护的范围以内。本发明的保护范围由附属的权利要求书及其等效范围所界定。
权利要求
1.一种光刻工艺的返工方法，所述方法包括提供器件结构，所述器件结构上依次形成有金属层、介电层、掩膜层、底部抗反射层和光刻胶层；第一清洗步骤，其中，使用含有硫酸和过氧化氢的水溶液清洗所述器件结构的表面， 以去除所述掩膜层、底部抗反射层和光刻胶层；第二清洗步骤，其中，使用去离子水清洗所述器件结构的表面；第三清洗步骤，其中，使用含有氢氧化铵和过氧化氢的水溶液清洗所述器件结构的表面；以及在所述介电层上依次重新形成掩膜层、底部抗反射层和光刻胶层。
2.如权利要求1所述的光刻工艺的返工方法，其特征在于，所述含有硫酸和过氧化氢的水溶液为SPM溶液。
3.如权利要求2所述的光刻工艺的返工方法，其特征在于，所述SPM溶液由98重量％ 的浓硫酸和30体积％的双氧水按体积比为[2飞]1混合而成。
4.如权利要求广3中任一项所述的光刻工艺的返工方法，其特征在于，所述第一清洗步骤的时间为25-60秒。
5.如权利要求广3中任一项所述的所述的光刻工艺的返工方法，其特征在于，所述含有硫酸和过氧化氢的水溶液的温度为135-180°C。
6.如权利要求1所述的光刻工艺的返工方法，其特征在于，所述含有氢氧化铵和过氧化氢的水溶液为SCl清洗液。
7.如权利要求6所述的光刻工艺的返工方法，其特征在于，所述SCl清洗液由四重量％ 的氨水、30体积％的双氧水和水按体积比为1 [广5] [50 200]混合而成。
8.如权利要求1或6所述的光刻工艺的返工方法，其特征在于，所述含有氢氧化铵和过氧化氢的水溶液的温度为20-35°C。
9.如权利要求1所述的光刻工艺的返工方法，其特征在于，所述第一清洗步骤和第二清洗步骤采用喷淋清洗方式。
10.如权利要求9所述的光刻工艺的返工方法，其特征在于，利用并排设置在同一装置中的两个喷嘴分别实施所述第一清洗步骤和第二清洗步骤。
11.如权利要求10所述的光刻工艺的返工方法，其特征在于，在所述第一清洗步骤之后，且在所述第二清洗步骤之前，所述方法还依次包括过氧化氢水溶液清洗步骤，其中，利用实施第一清洗步骤的喷嘴将过氧化氢水溶液喷淋至所述器件结构的表面；以及利用所述实施第一清洗步骤的喷嘴回吸所述过氧化氢水溶液。
12.如权利要求11所述的光刻工艺的返工方法，其特征在于，所述过氧化氢水溶液的浓度为25-35体积％。
13.如权利要求12所述的光刻工艺的返工方法，其特征在于，所述过氧化氢水溶液的浓度为四-33体积％。
14.如权利要求11或12所述的光刻工艺的返工方法，其特征在于，所述过氧化氢水溶液清洗步骤的时间为10-20秒。
15.如权利要求11或12所述的光刻工艺的返工方法，其特征在于，所述过氧化氢水溶液的温度为20-25°C。
16.如权利要求1所述的光刻工艺的返工方法，其特征在于，所述金属层为第一层金jM ο
17.如权利要求1或16所述的光刻工艺的返工方法，其特征在于，所述金属层的材料为铜、铝或铝铜合金中的任一种。
18.如权利要求1所述的光刻工艺的返工方法，其特征在于，所述掩膜层的材料为含碳有机物。
19.如权利要求1所述的光刻工艺的返工方法，其特征在于，所述底部抗反射层的材料为含硅有机物。
全文摘要
本发明涉及一种光刻工艺的返工方法，所述方法包括提供器件结构，所述器件结构上依次形成有金属层、介电层、掩膜层、底部抗反射层和光刻胶层；第一清洗步骤，其中，使用含有硫酸和过氧化氢的水溶液清洗所述器件结构的表面,以去除所述掩膜层、底部抗反射层和光刻胶层；第二清洗步骤，其中，使用去离子水清洗所述器件结构的表面；第三清洗步骤，其中，使用含有氢氧化铵和过氧化氢的水溶液清洗所述器件结构的表面；在所述介电层上依次形成掩膜层、底部抗反射层和光刻胶层。根据本发明的光刻工艺的返工方法，可以彻底去除掩膜层、底部抗反射层和光刻胶层，并且不会腐蚀所述介电层和金属层及在器件结构表面形成颗粒缺陷。
文档编号H01L21/027GK102543683SQ20101061516
公开日2012年7月4日 申请日期2010年12月30日 优先权日2010年12月30日
发明者刘焕新 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司