专利名称：光刻胶的去除方法及光刻工艺的返工方法
技术领域：
本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种光刻胶的去除方法 及光刻工艺的返工方法。
背景技术：
光刻工艺在半导体制造工艺中有着举足轻重的地位。在半导体制造 工艺中，需要先通过光刻在半导体基底上预先定义出光刻胶图案，然后 按照预定的图案进行刻蚀或离子注入。光刻工艺水平的高低、质量的好 坏直接影响刻蚀或离子注入的结果。在光刻中，光刻胶首先通过旋涂的 方法被均勻的旋涂于半导体晶片的表面，然后通过烘烤、曝光、显影等 一系列的工艺将掩膜板上的图案转移到半导体晶片表面的光刻胶上，形
成图案。其主要步骤如下
首先，将半导体晶片送入光刻胶旋涂设备，在一定的温度下向所述 半导体晶片表面涂覆粘附剂HMDS,所述粘附剂HMDS用于改变所述半导 体晶片表面的亲水或疏水状态，以增加后续旋涂的光刻胶和所述半导体 晶片表面的粘附性。
接着， -使所述半导体晶片在冷板上冷却至室温，并将所述半导体晶 片传送至旋涂设备中的旋涂装置，并通过真空设备吸附所述半导体晶片 的背面，将表面活性剂RRC喷嘴移动至所述半导体晶片的中央上方位置， 向所述半导体晶片表面喷出表面活性剂RRC,并使所述半导体晶片以较 慢的速率旋转，以使所述表面活性剂RRC能够向外流动，然后将光刻胶 喷嘴移至所示半导体晶片的中央上方位置，喷出光刻胶，旋转所述半导 体晶片，所述光刻胶沿着所述表面活性剂RRC的表面铺开，布满所述半 导体晶片的表面，通过调整所述半导体晶片的旋转速率，在所述半导体 晶片表面形成一定厚度且厚度均匀性较好的光刻胶层。
然后，将所述形成有光刻胶层的半导体晶片传送至所述旋涂设备的 烘烤装置，进行软考(soft bake)，通过软考去除所述光刻胶层中的溶剂， 并增加所述光刻胶层在所述半导体晶片表面的粘附性。完成软考后将所述半导体晶片传送至曝光设备，通过一 系列的对准 动作后，对所述半导体晶片表面的光刻胶层进行曝光，通过曝光，将掩 膜板上预定好的图形转移到了所述光刻胶层上，所述光刻胶层上被曝光 区域的光刻胶已经发生了光化学反应。
将所述半导体晶片送入热板进行曝光后烘烤(Post Develop Bake, PEB)。在G.iSum或更小的技术节点， 一般采用DUV光源进行曝光，曝 光的能量较小，选用的光刻胶一般为化学放大光刻胶，完成曝光后需要 通过PEB将曝光后的光化学反应进行完全，另一方面，通过PEB也可以消 除在曝光时的驻波效应。PEB工艺对生成的图形的线宽具有决定性的影 响，因而需要严^f各控制温度、时间以及整个半导体晶片上的温度的一致 性。
完成PEB后，将所述半导体晶片送入显影槽，首先向所述光刻胶表面
化学反应生成可溶物质，经过去离子水沖洗将所述可溶物质去除，并进 行硬考(Hard Bake),即完成了光刻工艺，生成了光刻胶图案，将带有 所述光刻图案的半导体晶片送入下道工艺可执行刻蚀或离子注入的工
艺
光刻设备或旋涂显影设备发生故障造成光刻胶残留缺陷、光刻中线 宽和上下层对准较大的误差时，需要进行返工，返工中的重要的一步工 艺是将该光刻胶层去除。另外，在完成刻蚀或离子注入后也需要将光刻 胶层去除。现有去除光刻胶层的方法主要有等离子体灰化和湿法清洗， 专利申请号为200510080138.8的中国专利公开了 一种等离子体灰化去除 光刻胶的方法。现有也有将所述等离子体灰化和湿法清洗结合在一起来 清除半导体晶片表面的光刻胶，其主要步骤如下首先执行干法刻蚀工 艺，通过氧气等离子体将所述光刻胶层去除；然后通过湿法清洗所述半 导体晶片的表面。在光刻工艺中的多步烘烤步骤使得光刻胶层和所述半 导体基粘附性很高，刻蚀或离子注入后通过所述去除光刻胶的方法后仍 有可能有光刻胶残留，这会影响后续的工艺；而设备故障造成的半导体 晶片表面的光刻胶残留在返工中也难以通过所述的去除光刻胶的方法去除，特别是由于旋涂设备发生故障造成半导体晶片表面大量的光刻胶残 留物经过数次灰化和湿法清洗也难以清除干净，也容易造成所述半导体 晶 片表面的损伤。发明内容因此，本发明提供一种光刻胶的去除方法及光刻工艺的返工方法， 以解决现有方法不能将半导体晶片表面的光刻胶残留去除干净而有残 留缺陷的问题。本发明提供的一种光刻胶的去除方法，包括提供一半导体晶片， 在所述半导体晶片表面有光刻胶层；在所述光刻胶层表面涂覆溶剂，通 过所述溶剂溶解所述光刻胶层，使所述光刻胶层厚度减薄；用等离子体 轰击去除所述光刻胶层；用湿法清洗所述半导体晶片表面。可选的，在所述光刻胶层表面涂覆溶剂的步骤如下将所述半导体 晶片送入旋涂设备；用真空吸盘吸附所述半导体晶片的背面；向所述光 刻胶层喷出溶剂；旋转所述半导体晶片使所述溶剂铺满所述光刻胶层表 面，并将被所述溶剂溶解的光刻胶甩出；停止旋转所述半导体晶片；将 所述半导体晶片从所述旋涂设备中取出。可选的，该方法进一步包括用所述溶剂清洗所述半导体晶片的表面 的步骤。可选的，所迷溶剂为单乙基醚丙二醇和丙二醇单甲醚乙酸酯混合物。可选的，所述溶剂为丙烯乙二醇一 甲胺以太醋酸盐或乙烯乙二醇一 甲胺以太醋酸盐中的一种。可选的，所述用溶剂清洗所述半导体晶片表面的步骤包括将所述 半导体晶片送入旋涂设备并使真空吸盘吸附所述半导体晶片的背面；向所述半导体晶片表面中央喷出溶剂；旋转所述半导体晶片，使所述溶剂 铺满所述半导体晶片表面，并被甩出；停止旋转所述半导体晶片；将所 述半导体晶片从所述旋涂设备中取出。可选的，所述半导体晶片旋转的速率小于500rpm。可选的，所述半导体晶片旋转的时间为10至180s。 可选的，所述等离子体为氧气等离子体。可选的，所述湿法清洗的清洗液为硫酸和双氧水的混合溶液。可选的，所述湿法清洗的清洗液为氢氟酸、氨水和极性有机溶剂的 混合溶液。相应的，本发明还提供一种光刻工艺的返工方法，包括提供一半 导体晶片，在所述半导体晶片表面有第一光刻胶层；在所述第一光刻胶 层表面涂覆溶剂，通过所述溶剂溶解所述光刻胶层，使所述第一光刻胶 层厚度减薄；用等离子体轰击去除所述第一光刻胶层；用湿法清洗所述 半导体晶片表面；用所述溶剂清洗所述半导体晶片的表面；在所述半导体晶片表面旋涂第二光刻胶层，并进行曝光显影。可选的，所述溶剂为单乙基醚丙二醇和丙二醇单甲醚乙酸酯混合物。可选的，所述溶剂为丙烯乙二醇一曱胺以太醋酸盐或乙烯乙二醇一 曱胺以太醋酸盐中的一种。可选的，所述用溶剂清洗所述半导体晶片表面的步骤包括将所述 半导体晶片送入旋涂设备并使真空吸盘吸附所述半导体晶片的背面；向 所述第一光刻胶层表面喷出溶剂；旋转所述半导体晶片，使所述溶剂铺 满所述半导体晶片表面，并被甩出；停止旋转所述半导体晶片；将所述 半导体晶片从所述旋涂设备中取出。可选的，所述半导体晶片旋转的速率小于500rpm。可选的，所述半导体晶片旋转的时间为IO至180s。可选的，所述等离子体为氧气等离子体。与现有技术相比，本发明具有以下优点本发明方法首先通过有机溶剂溶解所述半导体晶片表面的部分光 刻胶层，使其厚底减薄，然后用等离子体灰化去除所述光刻胶层，接着 用湿法清洗所述半导体晶片的表面。现有技术中采用多次等离子体灰化 的工艺去除半导体晶片表面难以去除的光刻胶层，不仅延长了工艺时间，，增加的等离子体灰化设备的负担；而且也会对所述半导体晶片表面造成损伤，而使该半导体晶片报废。本发明方法避免了该缺陷，不会 造成半导体晶片表面的损伤，且能够将半导体晶片表面的光刻胶去除干 净，节省时间及经济成本。本发明还包括用所述的溶剂对所述半导体晶片的表面进行清洗的 步骤。通过用所述溶剂对所述半导体晶片表面的清洗， 一方面进一步的去除了所述半导体晶片表面的残留物、污染物等缺陷；另一方面改变所 述半导体晶片表面的亲水疏水状态，增加后续的光刻胶层在半导体晶片 表面的粘附性，使得后续的光刻工艺不会造成光刻胶图案的倒塌的缺陷 (Peeling Defect),且形成的光刻图案具有较好的侧壁轮廓。
图1为本发明光刻胶的去除方法的实施例的流程图；图2为本发明光刻工艺的返工方法的实施例的流程图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的具体实施方式
做详细的说明。图1为本发明光刻胶的去除方法的实施例的流程图。如图l所示，步骤一，提供一半导体晶片，在所述半导体晶片表面 有光刻胶层(SIOO)。所述半导体晶片材质可以是单晶硅、多晶硅、非晶硅、砷化镓、硅锗化合物中的一种，所述半导体晶片也可以包括绝缘 层上硅结构。所述光刻胶层可以是完成刻蚀或离子注入后待去除的光刻胶层；也可以是完成光刻工艺后带有图案的光刻胶层，由于套刻偏差、 线宽偏差或者显影后检查带有缺陷残留等需要去除的光刻胶层，或者由光刻胶层。步骤二，在所述光刻胶层表面涂覆溶剂，通过所述溶剂溶解所述光 刻胶层而使所述光刻胶层厚度减薄(SllO)。本实施例中通过旋涂的方 法在所述光刻胶层表面涂覆溶剂，其主要步骤如下将所述半导体晶片送入旋涂设备中的真空吸盘上，所述真空吸盘与真空设备连通；用真空吸盘吸附所述半导体晶片的背面，使所述半导体晶片固定于 所述真空吸盘上，而不至于在后续的旋转工艺中将所述半导体晶片甩出；将溶剂的喷嘴移动至所述半导体晶片中央上方位置，向所述半导体晶片上的光刻胶层表面喷出溶剂；旋转所述真空吸盘而带动所述半导体晶片旋转，使得所述光刻胶层 上的溶剂沿所述光刻胶层的表面向外伸展，铺满所述光刻胶层的表面， 与所述光刻胶层的表面充分接触，从而使得表面光刻胶层被溶解，使其 厚度减薄，通过旋转也将所述被溶解的光刻胶甩出；停止旋转所述半导体晶片，并通过烘烤去除所述半导体晶片表面的 水分；将所述半导体晶片从旋涂设备中取出。本实施例中所述溶剂为单乙基醚丙二醇和丙二醇单曱醚乙酸酯混 合物、丙烯乙二醇一曱胺以太醋酸盐或乙烯乙二醇一曱胺以太醋酸盐中 的一种，所述半导体晶片旋转的速率小于500rpm,旋转的时间为10至 180s。在光刻工艺中需要多步的烘烤工艺来增大光刻胶层和半导体基底 表面的粘附性，以增加抗刻蚀能力，或在离子注入时起到阻挡的作用， 这增大了在完成刻蚀或离子注入后将该起阻挡作用的光刻胶层去除的 困难，而较容易造成残留物；对于光刻胶旋涂设备故障造成半导体晶片 上的厚度不均勾的光刻胶层，例如在同一半导体晶片上厚度差异在1000 至20000A之间，很难被完全去除而又不造成半导体晶片表面的损伤。 本发明的去除光刻胶的方法首先在光刻胶层上涂覆溶剂，通过所述溶剂 溶解部分光刻胶层，使其厚度减薄，再经过本发明后续的工艺很容易将 半导体晶片表面光刻胶层去除干净，且不会造成所述半导体晶片表面的 损伤。步骤三，将所述半导体晶片送入等离子体刻蚀设备，用等离子体轰 击去除所述半导体晶片表面的剩余的光刻胶层(S120)。本实施例中所述等离子体为氧气等离子体，氧气在高能射频作用下生成等离子体，将 所述带有光刻胶层的半导体晶片暴露于所述氧气等离子体环境中，所述 氧气等离子体与所述光刻胶层作用生成一氧化碳、二氧化碳和水，从而 达到将所述半导体晶片表面的光刻胶层去除的目的。在所述等离子体环境中还可以引入微波以增加去除光刻胶层的能力。在所述氧气等离子体中还可以引入CF4、 SF6等含氟的气体。 步骤四，用湿法清洗所述半导体晶片的表面(S130)。完成所述氧 气等离子体轰击的步骤后，为避免在所述半导体晶片表面有光刻胶的残 留物，使光刻胶去除执行的更加的彻底，还需要用湿法清洗所述半导体 晶片的表面。所述湿法清洗的清洗液为硫酸和双氧水的混合溶液或氢氟 酸、氨水和极性有机溶剂的混合溶液。 一般的，若所述半导体晶片的表 面为介质层，用;e克酸和双氧水的混合溶液进行清洗；而当所述半导体晶 片表面为金属材质时，要避免用酸性溶液进行清洗， 一般用氢氟酸、氨 水和极性有机溶剂的混合溶液进行清洗。本发明方法首先通过有机溶剂溶解所述半导体晶片表面的部分光 刻胶层，使其厚底减薄，然后用等离子体灰化去除所述光刻胶层，接着 用湿法清洗所述半导体晶片的表面。现有技术中采用多次等离子体灰化 的工艺去除半导体晶片表面难以被去除的光刻胶层，不仅延长了工艺时 间，，增加的等离子体灰化设备的负担；而且也会对所述半导体晶片表 面造成损伤，而使该半导体晶片报废。本发明方法避免了该缺陷，不会 造成半导体晶片表面的损伤，且能够将半导体晶片表面的光刻胶去除干 净，节省时间及经济成本。在完成本上述步骤后，还可以用所述的溶剂对所述半导体晶片的表 面进行清洗。所述用溶剂清洗所述半导体晶片表面的步骤包括将所述 半导体晶片送入旋涂设备并使真空吸盘吸附所述半导体晶片的背面；向所述半导体晶片表面中央喷出溶剂；旋转所述半导体晶片，使所述溶剂 铺满所述半导体晶片表面，并被甩出；停止旋转所述半导体晶片；将所 述半导体晶片从所述旋涂设备中取出。通过用所述溶剂对所述半导体晶片表面的清洗， 一方面进一步的去除了所述半导体晶片表面的残留物、 污染物等；另一方面改变所述半导体晶片表面的亲水疏水状态，增加后 续的光刻胶层在半导体晶片表面的粘附性，使得后续的光刻工艺不会造成光刻胶图案的倒塌的缺陷(Peeling Defect),且形成的光刻图案具 有较好的侧壁轮廓。图2为本发明光刻工艺的返工方法的实施例的流程图。如图2所示，步骤一，提供一半导体晶片，在所述半导体晶片表面 有第一光刻胶层(S200)。所述半导体晶片材质可以是单晶硅、多晶硅、 非晶硅、砷化镓、硅锗化合物中的一种，所述半导体晶片也可以包括绝 缘层上硅结构。所述第一光刻胶层是完成光刻工艺后带有图案的光刻 胶，或者由于套刻偏差、线宽偏差或者显影后才企查带有缺陷残留等需要 去除的光刻胶，或者由于光刻胶旋涂设备发生故障造成所述光刻胶层中 的缺陷而需要去除的光刻胶。步骤二，在所述第一光刻胶层表面涂覆溶剂，通过所述溶剂溶解所 述第一光刻胶层而使所述第一光刻胶层厚度减薄(S210)。本实施例中 通过旋涂的方法在所述光刻胶层表面涂覆溶剂，其主要步骤如下将所述半导体晶片送入旋涂设备中的真空吸盘上，所述真空吸盘与 真空设备连通；用真空吸盘吸附所述半导体晶片的背面，使所述半导体晶片固定于 所述真空吸盘上，而不至于在后续的旋转工艺中将所述半导体晶片甩 出；将溶剂的喷嘴移动至所述半导体晶片中央上方位置，向所述半导体 晶片上的第 一光刻胶层表面喷出溶剂；旋转所述真空吸盘而带动所述半导体晶片旋转，使得所述第一光刻 胶层上的溶剂沿所述第一光刻胶层的表面向外伸展，铺满所述第一光刻 胶层的表面，与所述第一光刻胶层的表面充分接触，从而使得第一光刻 胶层表面被溶解而厚度减薄，通过旋转也将所述被溶解的光刻胶甩出；停止旋转所述半导体晶片，并通过烘烤去除所述半导体晶片表面的水分；将所迷半导体晶片从旋涂设备中取出。本实施例中所述溶剂为单乙基醚丙二醇和丙二醇单曱醚乙酸酯混 合物、丙烯乙二醇一曱胺以太醋酸盐或乙烯乙二醇一曱胺以太醋酸盐中的一种，所述半导体晶片旋转的速率小于500rpm，旋转的时间为10至 180s。由于光刻胶旋涂设备故障造成半导体晶片上的第 一 光刻胶层的厚 度不均匀，例如在同一半导体晶片上厚度差异在1000至20000A之间， 很难通过传统的方法完全去除而又不造成半导体晶片表面的损伤。本发所述溶剂溶解部分第 一光刻胶层而使其厚度减薄，再经过本发明后续的 工艺很容易将半导体表面的光刻胶去除干净，且不会造成半导体晶片表 面的损伤。步骤三，将所述半导体晶片送入等离子体刻蚀设备，用等离子体轰 击去除所述半导体晶片表面的剩余的第一光刻胶层(S220)。本实施例 中所述等离子体为氧气等离子体，氧气在高能射频作用下生成等离子 体，将所述带有第一光刻胶层的半导体晶片暴露于所述氧气等离子体环 境中，所述氧气等离子体与所述第一光刻胶层作用生成一氧化碳、二氧 化碳和水，从而达到将所述半导体晶片表面的光刻胶层去除的目的。在所述用氧气等离子体环境中还可以引入微波以增加去除第一光 刻胶层的能力。在所述氧气等离子体中还可以引入CF4、 SF6等含氟的气体。 步骤四，用湿法清洗所述半导体晶片的表面(S230 )。完成所述氧 气等离子体轰击的步骤后，为避免在所述半导体晶片表面有光刻胶的残 留物，使光刻胶去除执行的更加的彻底，还需要用湿法清洗所述半导体 晶片的表面。所述湿法清洗的清洗液为硫酸和双氧水的混合溶液或氢氟 酸、氨水和极性有机溶剂的混合溶液。 一般的，若所述半导体晶片的表 面为介质层，用硫酸和双氧水的混合溶液进行清洗；而当所述半导体晶 片表面为金属材质时，要避免用酸性溶液进行清洗，；而一般用氢氟酸、 氨水和极性有机溶剂的混合溶液进行清洗。步骤五，用所述的溶剂对所述半导体晶片的表面进行清洗(S240 )。 所述用溶剂清洗所述半导体晶片表面的步骤包括将所述半导体晶片送 入旋涂设备并使真空吸盘吸附所述半导体晶片的背面；向所述半导体晶 片表面中央喷出溶剂；旋转所述半导体晶片，使所述溶剂铺满所述半导 体晶片表面，并^皮甩出；停止旋转所述半导体晶片；将所述半导体晶片 从所述旋涂设备中取出。通过用所述溶剂对所述半导体晶片表面的清 洗， 一方面进一步的去除了所述半导体晶片表面的残留物、污染物等； 另 一方面改变所述半导体晶片表面的亲水疏水状态，增加后续的光刻胶 层在半导体晶片表面的粘附性，使得后续的光刻工艺不会造成光刻胶图 案的倒塌的缺陷(Peeling Defect),且形成的光刻图案具有较好的侧 壁轮廓。步骤六，在所述半导体晶片表面旋涂第二光刻胶层，并进行曝光显 影(S250 )。将所述半导体晶片表面的第一光刻胶层去除干净后，需要 在所述半导体晶片表面旋涂第二光刻胶层并执行曝光显影的步骤，在所 述第二光刻胶层上形成光刻图案，从而完成将掩膜板上的图案的转移。本发明的返工方法中，首先通过溶剂溶解所述半导体晶片表面欲去 除的第一光刻胶层的表面，使其厚度减薄，然后通过等离子体灰化和湿 法清洗去除所述第一光刻胶层，使得所述第一光刻胶层能够彻底被去除 而不会造成所述半导体晶片表面的损伤，然后用所述溶剂清洗所述半导 体晶片的表面以改变其亲水疏水状态，增加所述第二光刻^^交层在所述半 导体晶片表面的粘附性，减少光刻图案倒塌的缺陷。本发明虽然以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明， 任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以做出可能 的变动和修改，因此本发明的保护范围应当以本发明权利要求所界定的 范围为准。
权利要求
1. 一种光刻胶的去除方法，包括提供一半导体晶片，在所述半导体晶片表面有光刻胶层；在所述光刻胶层表面涂覆溶剂，通过所述溶剂溶解所述光刻胶层，使所述光刻胶层厚度减薄；用等离子体轰击去除所述光刻胶层；用湿法清洗所述半导体晶片表面。
2、 如权利要求1所述的光刻胶的去除方法，其特征在于，在所述 光刻胶层表面涂覆溶剂的步骤如下将所述半导体晶片送入旋涂设备；用真空吸盘吸附所述半导体晶片的背面；向所述光刻胶层喷出溶剂；旋转所述半导体晶片使所述溶剂铺满所述光刻胶层表面，并将被所 述溶剂溶解的光刻胶甩出；停止旋转所述半导体晶片；将所述半导体晶片从所述旋涂设备中取出。
3、 如权利要求1所述的光刻胶的去除方法，其特征在于，该方法 进一步包括用所述溶剂清洗所述半导体晶片的表面的步骤。
4、 如权利要求2或3所述的光刻胶的去除方法，其特征在于所 述溶剂为单乙基醚丙二醇和丙二醇单曱醚乙酸酯混合物。
5、 如权利要求2或3所述的光刻胶的去除方法，其特征在于所 述溶剂为丙烯乙二醇一曱胺以太醋酸盐或乙烯乙二醇一曱胺以太醋酸 盐中的一种。
6、 如权利要求3所述的光刻胶的去除方法，其特征在于，所述用 溶剂清洗所述半导体晶片表面的步骤包括将所述半导体晶片送入旋涂设备并使真空吸盘吸附所述半导体晶 片的背面；向所述半导体晶片表面中央喷出溶剂；旋转所述半导体晶片，使所述溶剂铺满所述半导体晶片表面，并被甩出；停止旋转所述半导体晶片； 将所述半导体晶片从所述旋涂设备中取出。
7、 如权利要求2或6所述的光刻胶的去除方法，其特征在于所 述半导体晶片旋转的速率小于500rpm。
8、 如权利要求7所述的光刻胶的去除方法，其特征在于所述半 导体晶片旋转的时间为10至180s。
9、 如权利要求1所述的光刻胶的去除方法，其特征在于所述等 离子体为氧气等离子体。
10、 如权利要求l所述的光刻胶的去除方法，其特征在于所述湿 法清洗的清洗液为石危酸和双氧水的混合溶液。
11、 如权利要求1所述的光刻胶的去除方法，其特征在于所述湿法清洗的清洗液为氢氟酸、氨水和极性有机溶剂的混合溶液。
12、 一种光刻工艺的返工方法，包括提供一半导体晶片，在所述半导体晶片表面有第 一光刻胶层； 在所述第一光刻胶层表面涂覆溶剂，通过所述溶剂溶解所述光刻胶 层，使所述第一光刻胶层厚度减薄；用等离子体轰击去除所述第一光刻胶层；用湿法清洗所述半导体晶片表面；用所述溶剂清洗所述半导体晶片的表面；在所述半导体晶片表面旋涂第二光刻胶层，并进行曝光显影。
13、 如权利要求12所述的光刻胶的去除方法，其特征在于所述 溶剂为单乙基醚丙二醇和丙二醇单曱醚乙酸酯混合物。
14、 如权利要求12所述的光刻胶的去除方法，其特征在于所述 溶剂为丙烯乙二醇一甲胺以太醋酸盐或乙烯乙二醇一甲胺以太醋酸盐 中的一种。
15、 如权利要求12所述的光刻胶的去除方法，其特征在于所述 用溶剂清洗所述半导体晶片表面的步骤包括将所述半导体晶片送入旋涂设备并使真空吸盘吸附所述半导体晶 片的背面；向所述第 一光刻胶层表面喷出溶剂；旋转所述半导体晶片，使所述溶剂铺满所述半导体晶片表面，并被 甩出；停止旋转所述半导体晶片；将所述半导体晶片从所述旋涂设备中取出。
16、 如权利要求12或15所述的光刻胶的去除方法，其特征在于 所述半导体晶片旋转的速率小于500rpm。
17、 如权利要求16所述的光刻胶的去除方法，其特征在于所述 半导体晶片旋转的时间为10至180s。
18、 如权利要求12所述的光刻胶的去除方法，其特征在于所述 等离子体为氧气等离子体。
全文摘要
一种光刻胶的去除方法，包括提供一半导体晶片，在所述半导体晶片表面有光刻胶层；在所述光刻胶层表面涂覆溶剂，通过所述溶剂溶解所述光刻胶层，使所述光刻胶层厚度减薄；用等离子体轰击去除所述光刻胶层；用湿法清洗所述半导体晶片表面。所述方法可用于光刻工艺的返工方法中。本发明方法能够将所述半导体晶片表面的光刻胶去除干净，并不会对所述半导体晶片表面造成损伤。
文档编号H01L21/027GK101281379SQ20071003925
公开日2008年10月8日 申请日期2007年4月3日 优先权日2007年4月3日
发明者杨光宇 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司