技术编号:6960643
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造工艺,特别涉及半导体器件结构和制作该半导体器件结构的方法。背景技术近年来,金属硅化物已被广泛应用在半导体工业上,其在VLSI (超大规模集成电路)/ ULSI (甚大规模集成电路)器件技术中起着非常重要的作用,被广泛地用于源/漏极和硅栅极与金属之间的接触。金属硅化物的制备通常采用快速热处理工艺。快速热退火已经被证明在减少硅化物形成中的总热预算方面优于传统的加热炉技术。对于45纳米及其以下技术节点的半导体制程,镍硅化物正成为接触应用上的选...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。