技术编号:6960743
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体领域,更具体地,涉及一种。 背景技术为了提高超大规模集成电路效率及降低制造成本,互补金属氧化物半导体晶体管栅距越来越小。但是,栅距减小导致短沟道效应,使得器件性能降低。SOI (Semiconductor On hsulator,绝缘体上半导体)技术是指在一层绝缘层上的半导体膜上制作器件和电路。由于绝缘体层的存在,器件与体硅之间实现了完全的介质隔离,因此SOI-CMOS集成电路从本质上避免了体硅CMOS的闩锁效应。另外,Fully Depl...
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