技术编号：6962515
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明总体上涉及一种用于在半导体器件的操作中改进铜和蚀刻停止层(ESL)之间的粘合强度并因而限制铜的表面扩散的方法和组合物，特 别是限制电场下的电迁移。背景技术由于铜比铝更低的电阻率以及铜对电迁移的高抵抗性，因而铜已被 广泛地用于形成现今的超大规模集成(ULSI)半导体器件中所需的多层互 连。多层互连由铜线(形成作沟槽)的网络构成，用于分配各种信号和功 率并与集成电路的不同区域连接。为了发挥更大的投资效益，这些线叠 置在经介电材料隔开的几层中，并且这些层经...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。