技术编号：6969433
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型属于微电子，涉及面向横向高压器件和智能功率集成电路 (SPICs)应用的具有逆向杂质浓度分布的P型硅埋层和薄隐埋氧化层的SOI (绝缘层上硅) 材料的结构。背景技术SOI横向高压器件由于其较小的体积、重量，很高的工作频率，较高的工作温度、很 高的电流密度、较强的抗辐照能力，较低的成本和较高的可靠性，和便于智能化集成用于实 现智能功率集成电路(SPICs)，作为无触点功率电子开关、功率驱动器或者射频(RF)功率 放大晶体管在智能电力电子、高温环境电...
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