技术编号:6970731
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种半导体器件的制造,特别是大功率平面结双向TVS 二极管的制备方法。背景技术长期以来,在半导体器件制造领域,人们在结构设计、成本降低、可靠性、提高产品 的性价比等方面,作出了不懈的努力。当今TVS 二极管芯片制造中较先进的技术是采用一 种低电阻率的N型双磨单晶片进行制备,其工艺步骤为酸洗、清洗、扩散、刻槽、玻璃钝化、 化学镀、合金、化学镀、蒸金、测试、划片、裂片,该方法的不足之处为产品生产工艺中包括 两次扩散,一次是N+型扩散,另一次是P型...
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