专利名称：一种大功率平面结双向tvs二极管芯片的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种半导体器件的制造技术领域，特别是大功率平面结双向TVS 二极管的制备方法。
背景技术：
长期以来，在半导体器件制造领域，人们在结构设计、成本降低、可靠性、提高产品 的性价比等方面，作出了不懈的努力。当今TVS 二极管芯片制造中较先进的技术是采用一 种低电阻率的N型双磨单晶片进行制备，其工艺步骤为酸洗、清洗、扩散、刻槽、玻璃钝化、 化学镀、合金、化学镀、蒸金、测试、划片、裂片，该方法的不足之处为产品生产工艺中包括 两次扩散，一次是N+型扩散，另一次是P型扩散，由于产品是台面结结构，因此是深结扩散， 扩散时间长，产品的少子寿命下降，且硅片容易翘曲，造成碎片，操作不方便；产品的电极 用化学镀方式形成，需要进行两次镀膜，且为保证产品的可靠性，镀层表面必须覆盖一层金 (Αμ )膜，工艺复杂；PN结的保护采用挖槽、玻璃钝化的方式，工艺流程长；直接在玻璃钝化 层上划片，影响产品的可靠性；产品采用的是台面工艺，硅片的有效利用率低，生产成本高。
实用新型内容本实用新型的目的是提供一种工艺简单、电流密度大、漏电流小、质量稳定可靠的 大功率平面结双向TVS 二极管芯片。本实用新型在N区的正反两面分别设置P扩散区，在所述两个P扩散区的另一面 分别设置镀膜区，在所述P扩散区外周的N区表面设置PN结平面SiO2保护区。本实用新型分别在N区的正反两面分别设置P扩散区，由于产品是平面结结构，因 此采用浅结扩散，扩散时间短，产品寿命长，性能好，硅片不翘曲，产品碎片率低。产品采用 平面工艺生产，不需要挖槽，硅片的利用率高，产品的电流密度大。避免了在玻璃钝化层上 划片而产生的玻璃钝化膜应力，PN结结构牢靠，减少了漏电流，尤其是高温下的漏电流，进 一步提高产品的可靠性。由于本实用新型的产品结构的特殊性，生产工艺流程短，采用4英 寸硅片的生产，可大大提高生产效率，方便生产操作，也降低了生产成本。
图1为本实用新型产品结构示意图。图1中，1为N区，2、3为P扩散区、4、5为镀膜区、6、7、8、9为5102保护区。
具体实施方式
选取电阻率为0. 01 0. 02 Ω . cm，片厚为225 235 μ m的N型硅材料双磨片，生
产大功率平面结双向TVS 二极管芯片，结构特点在N区1的正反两面分别设置P扩散区2、3，在两个P扩散区2、3的另一面分别设 置镀膜区4、5。在两个P扩散区2、3外周的N区1表面分别设置PN结平面SiO2保护区6、7、8、9。
权利要求一种大功率平面结双向TVS二极管芯片，其特征在于在N区的正反两面分别设置P扩散区，在所述两个P扩散区的另一面分别设置镀膜区，在所述P扩散区外周的N区表面设置PN结平面SiO2保护区。
专利摘要一种大功率平面结双向TVS二极管芯片，涉及一种半导体器件的制造技术领域，本实用新型在N区的正反两面分别设置P扩散区，在两个P扩散区的另一面分别设置镀膜区，在P扩散区外周的N区表面设置PN结平面SiO2保护区。本实用新型扩散时间短，产品寿命长，性能好，硅片不翘曲，产品碎片率低。不需要挖槽，硅片的利用率高，产品的电流密度大。避免了在玻璃钝化层上划片而产生的玻璃钝化膜应力，PN结结构牢靠，减少了漏电流，尤其是高温下的漏电流，进一步提高产品的可靠性。由于本实用新型的产品结构的特殊性，生产工艺流程短，采用4英寸硅片的生产，可大大提高生产效率，方便生产操作，也降低了生产成本。
文档编号H01L29/06GK201699017SQ201020243150
公开日2011年1月5日 申请日期2010年6月22日 优先权日2010年6月22日
发明者周明, 穆连和, 苏学杰, 顾理健 申请人:南通明芯微电子有限公司