一种用于回流焊的自密封发光二极管的制作方法

本实用新型涉及一种发光二极管，更具体的是一种用于回流焊的自密封发光二极管。

技术背景

随着半导体光电子领域的不断发展，对单位面积的半导体元件表面所获取的光量要求越来越高，倒装结构的发光二极管芯片，作为能有效提升注入电流同时解决芯片散热问题的芯片制程解决方案，已被业内广泛采用，但是倒装结构的发光二极管芯片仍存在以下问题：

1）电极间隔离易导致漏电及封装焊接短路。

2）芯片电极面朝下导致的焊接对准精度低。

3）芯片电极间隔离较宽对散热的影响。

这三个问题一直影响着倒装芯片的应用可靠性。

技术实现要素：

本实用新型目的是提出一种可解决倒装发光二极管芯片应用中存在的散热问题，以及回流焊时的芯片对准难，焊料溢漏引起的失效问题的用于回流焊的自密封发光二极管。

本实用新型为具有六个侧面的六面体结构，五个侧面外分别包裹设置绝缘胶层，一个侧面设置呈日字形的绝缘隔离围墙，在所述绝缘隔离围墙外围的侧面上布置绝缘胶层，在所述绝缘隔离围墙的两个空间内分别设置第一电极和第二电极。

本实用新型的第一电极和第二电极位于六面体的同一侧，且两个电极之间以隔离围墙形成间隔，可减少PN电极间绝缘区间距，增加焊接面积，提高散热需求，同时还能提供焊接时的对准精度和可靠性。本实用新型适用于GaN/蓝宝石结构的蓝绿光发光二极管芯片，或AlGaInP/GaP/蓝宝石结构的红黄光发光二极管芯片。

这种绝缘隔离围墙主要用于倒装芯片回流焊接时使两个电极自动形成密封，阻挡焊膏在两个电极之间可能产生的串接，以及长期使用过程将两个电极与外界隔离起到密封作用，防止电极的氧化及因环境污染引起的电极之间短路漏电。

进一步地，本实用新型所述绝缘隔离围墙外表面与第一电极外表面的距离为25～80微米。此高度能有效阻挡回流焊焊料的溢出，形成自密封焊接区。

同理，所述绝缘隔离围墙外表面与第二电极外表面的距离为25～80微米。

另外，所述呈日字形的绝缘隔离围墙的墙体接触的底部小于200微米。更小的接触底部能留足更多的电极接触面，增强发光二极管的散热能力。

所述呈日字形的绝缘隔离围墙的底部的宽度小于200微米。更小的绝缘隔离围墙的底部的宽度利于第一电极和第二电极能够更多地覆盖于半导体发光芯片表面，以增加芯片的金属散热面积。

附图说明

图1为本实用新型的一种结构示意图。

图2为图1中A-A向剖示图。

图3为图1中B-B向剖示图。

具体实施方式

如图1、2、3所示，发光二极管01为具有六个侧面的六面体结构，其中的五个侧面外分别包裹设置绝缘胶层02，其中的一个侧面设置呈日字形的绝缘隔离围墙03，在绝缘隔离围墙03外围的该侧面上也布置绝缘胶层02，在绝缘隔离围墙03的两个空间内分别设置第一电极11和第二电极12。

从图2、3可见，绝缘隔离围墙03外表面与第一电极11外表面的距离H1为25～80微米。绝缘隔离围墙03外表面与第二电极12外表面的距离H2为25～80微米。H1和H2可以相同。

另外，呈日字形的绝缘隔离围墙03的墙体顶部的宽度d2小于底部的宽度d1，优选的d1小于200微米。

绝缘胶层02是凸起的绝缘块，是用印刷涂覆的方法对半导体发光元件表面进行含氮化铝粉末的聚酰亚胺的涂覆，厚度约30微米，第一电极11和第二电极12电极厚度一般在2至5微米，H1在本实施例中大于25微米。掺入AlN粉末后的聚酰亚胺具有绝缘性好，散热好的特点被用来阻隔第一电极11和第二电极12间的焊料溢漏；减少焊接失效，同时封闭焊接部位能有效提高高温高湿老化的可靠性。

隔离围墙02的材料可以是光刻胶、硅胶或者导热胶，这种材料可以掺入一定比例AlN或BN粉末来提高隔离围墙的导热特性和机械强度，隔离围墙02可以是用印刷、光刻或者喷涂的方法形成，还可在材料中掺入一定量的荧光粉材料，这种荧光粉材料可以是多晶体结构化合物材料。隔离围墙02的材料具有在温度大于100℃和湿度大于85%条件下不导电的特性，隔离围墙的高度和宽度在10微米到200微米。