专利名称：发光显示器及构造该发光显示器的方法
技术领域：
本发明涉及一种发光显示器，更具体地讲，涉及一种能够测量发光二极管的特性而不受晶体管影响的发光显示器及构造此发光显示器的方法。
背景技术：
近来，已经开发出了多种具有更小的重量和体积的平面显示器，以克服阴极射线管(CRT)显示器的缺点。平面显示器的类型包括比如液晶显示器(LCD)、场发射显示器(FED)、等离子体显示面板(PDP)、发光二极管(LED)显示器。
发光显示器利用电子和空穴的复合可独立地从荧光体材料发光，并且根据其材料和结构发光显示器件可被划分为两类无机发光显示器，包括无机发光层；有机发光显示器，包括有机发光层。与需要单独光源的的被动发光二极管显示器例如LCD相比，发光显示器具有与CRT显示器同样的快速的响应速度的优点。
有机发光显示器包括位于阳极电极和阴极电极之间的发光层(EML)、电子传输层(ETL)、空穴传输层(HTL)。有机发光显示器还包括电子注入层(EIL)和空穴注入层(HIL)。
当将电压施加到阳极电极和阴极电极之间时，从阴极电极发射出的电子通过电子注入层和电子传输层被传输到发光层，从阳极电极发射出的空穴通过空穴注入层和空穴传输层被传输到发光层。结果，从电子传输层提供的电子和从空穴传输层提供的空穴复合而发光。
根据驱动类型，发光显示器可被划分为被动矩阵驱动型(以下称为“PM”)或者主动矩阵驱动型(以下称为“AM”)。
PM型发光显示器按简单的矩阵形状设置使得第一电极和第二电极彼此交叉，并且PM型发光显示器包括形成在第一电极和第二电极交叉处的像素。PM型发光显示器基于当扫描线被顺序地选择时由数据线提供的数据信号来选择用于发光的像素，从而显示图像。PM型发光显示器具有简单从而低成本的制造工艺的优点。然而，PM型发光显示器也具有增大的功耗和难以实现高分辨率和大屏幕显示器的缺点。
AM型发光显示器包括在由扫描线和数据线所限定出的像素区域中形成的像素，和用于采用至少一个晶体管的从每个像素发光的像素电路。通过从每个像素独立地发光，在AM型发光显示器上显示出图像，其中每个像素通过驱动单独的像素电路来发光。与PM型发光显示器相比，AM型发光显示器具有能够实现高分辨率和大屏幕显示器、改善图像质量、降低功耗、增加显示器寿命的优点。
在制造AM型发光显示器期间，在构造晶体管阵列基板之后形成被电连接到每个象素电路的晶体管上的发光二极管，其中，晶体管阵列基板的构造包括扫描线、数据线、电源线和象素电路的形成。
AM型发光显示器的制造工艺会当显示图像时引起比如暗点、亮点、坏点和低亮度的问题。在发光二极管形成在晶体管阵列基板上之后，由于发光二极管而造成的问题可被检测到。因此，在AM型发光显示器的制造工艺期间，评价晶体管阵列基板的特性和发光二极管的特性是有利的。然而，在典型的AM型发光显示器中，虽然晶体管阵列基板的特性可被间接地测量，但是不受晶体管影响，发光二极管的特性不能被测量。
发明内容
因此，本发明的实施例通过提供一种能够测量发光二极管的特性而不受晶体管影响的发光显示器和构造此发光显示器的方法，解决了与传统的显示器有关的上述问题。
在本发明的一个实施例中，发光显示器包括第一显示部分，形成在基板上并具有第一象素，其中，第一象素被设定成基于来自具有至少一个晶体管的主动驱动象素电路的电流而发光；第二显示部分，具有第二象素，第二象素被设定成基于由基板上的被动驱动象素电路提供的电流而发光。
第一象素可包括发光二极管，该发光二极管被设定成基于由象素电路通过第一电源线提供的电流而发光，其中，象素电路被电连接到扫描线、数据线和第一电源线。另外，第二象素可包括电连接到哑电源线和第二电源线的哑发光二极管。此外，第二显示部分可用于测试。
在本发明的另一个实施例中，发光显示器包括形成在基板上并包括象素的显示部分，其中，象素被设定成基于由具有至少一个晶体管的象素电路通过第一电源线提供的电流而发光。发光显示器还包括形成在显示部分的哑区域并包括哑象素的测试部分，该哑象素基于由哑电源线提供的电流而发光。
象素可包括发光二极管，该发光二极管被设定成基于由象素电路通过第一电源线提供的电流而发光，其中，象素电路被电连接到扫描线、数据线和第一电源线。另外，哑象素可包括电连接到哑电源线和第二电源线的哑发光二极管。
在本发明的又一个实施例中，发光显示器包括形成在基板的发光区域内并设定成显示图像的显示部分，和与显示部分一起的形成在发光区域中的哑区域内的测试部分。
显示部分可包括象素电路，电连接到扫描线、数据线、第一电源线，每个象素电路形成在基板内；象素，包括发光二极管，该发光二极管被设定成响应于与由象素电路通过第一电源线提供到数据线的数据信号相应的电流而发光。另外，测试部分可包括哑象素，该哑象素包括电连接到哑电源线和第二电源线的哑发光二极管，每个哑象素形成在基板上。
在本发明的又一个实施例中，构造发光显示器的方法包括形成在基板的发光区域内形成由多条扫描线、多条数据线和电源线限定的象素电路，其中象素电路包括至少一个晶体管，该晶体管被设定成对应于数据线的数据信号输出来自电源线的电流。该方法还包括在电连接到象素电路的阳极电极和发光区域的哑区域内形成的哑电源线，形成用于连接到象素电路的发光二极管，形成用于连接到哑电源线的哑发光二极管，形成在发光二极管和哑发光二极管上的阴极。
该方法还包括形成绝缘层，该绝缘层被设定成使发光二极管和哑发光二极管彼此分隔。另外，形成象素电路的步骤可包括在基板上形成缓冲层，在缓冲层上形成至少一个晶体管和电容，和形成覆盖晶体管的钝化层。
参照附图和其中某些示例的实施例来描述本发明的上述和其它特点，其中图1是包括显示象素和测试象素的发光显示器的一个实施例的图例；图2是图1所示的显示象素的电路图；图3是图1所示的测试象素的一个实施例的电路图；图4是图1所示的A部分的放大图；图5A至图5C是沿图4中所示的线I-I’截取的截面图，依次示出了构造发光显示器的方法的一个实施例；图6A至图6C是沿图4中所示的线I-I’截取的截面图，依次示出了构造发光显示器的方法的另一个实施例；图7是发光显示器的第二实施例的图例；图8是图7所示的B区的放大图；图9A至图9C是沿图8中所示的线II-II’截取的截面图，依次示出了构造发光显示器的方法的一个实施例；图10A至图10C是沿图8中所示的线II-II’截取的可供选择的截面图，依次示出了构造发光显示器的方法；图11是示出了图8所示的B部分的可供选择的布局的放大图；图12是沿图11中所示的线III-III’截取的的截面图；图13是示出了图1中所示的A部分的可供选择的布局的放大图；图14是沿图13中所示的线IV-IV’截取的截面图。
具体实施例方式
以下，将参照附图来更充分地说明本发明的实施例。
图1是根据本发明的实施例的发光显示器100的一个实施例的图例。发光显示器100包括位于基板110上的显示部分120(第一显示部分)和测试象素部分126(或哑象素部分)(第二显示部分)。另外，发光显示器100可包括扫描驱动器130、数据驱动器140、第一电源线150、第二电源线152和垫片部分160。
显示部分120包括由多条由数据线D、多条扫描线S和多条象素电源线VDD限定出的多个显示象素121(或象素)。每个象素121包括发光二极管和包括至少一个晶体管的象素电路。在一个实施例中，显示部分120形成在基板110的显示象素区域(或发光区域)上。
测试象素部分126形成在基板110的哑区域(或显示部分120的哑区域)中，邻近于显示部分120。测试象素部分126包括电连接到垫片部分160的测试电源供给垫片TPVdd的测试电源线128(或哑电源线)，和形成在电连接到第二电源线152和测试电源线128的阴极电极之间的测试发光二极管(LED)(或多个哑LED)。在一个实施例中，测试象素部分126形成在独立于基板110上的显示象素区域的测试象素区域。
扫描驱动器130被布置为与显示部分120的一侧相邻，用于电连接到垫片部分160的第一垫片Ps。扫描驱动器130被设定成基于来自第一垫片Ps的扫描控制信号而产生扫描信号，并从而将扫描信号提供到示部分120的扫描线S。
数据驱动器140被电连接到数据线D和垫片部分160的第二垫片Pd。数据驱动器140可采用例如玻璃上覆晶接合封装法、引线结合法、倒装芯片法、梁式引线结合法设置在基板110上，或直接形成在基板110上。数据驱动器140被设定成接收来自第二垫片Pd的数据信号和数据控制信号，并基于数据控制信号将数据信号提供到数据线D。数据线D被电连接到第二垫片Pd。
从而，通过基板110的垫片部分160，数据驱动器140被电连接到显示部分120的数据线D，以提供数据信号。在一个实施例中，数据驱动器140安装在连接到基板110的柔性印刷电路(未示出)上。作为选择，数据驱动140可被结合到安装在印刷电路板上的载芯片板(COB)中、结合到直接安装在膜上的薄膜覆晶(COF)中、或结合到用于载带封装的传统的薄膜型连接装置。
第一电源线150形成在基板110上的除了垫片部分160形成的区域之外的周边上，与显示部分120的左侧、右侧和上侧相邻。第一电源线150的两端被电连接到垫片部分160的第三垫片PVdd。第一电源线150被设定成通过第三垫片PVdd将电压产生部分(未示出)提供的第一电源提供到每个显示象素121的象素电源线VDD。
第二电源线152与显示部分120的一侧相邻地形成，并电连接到形成在显示部分120的前表面的阴极电极。第二电源线152被设定成共用地将从垫片部分160的第四垫片PVss传输的第二电源提供给每个显示象素121。
图2是图1的显示器100的显示象素121的电路图。参照图1和图2，每个显示象素121包括发光二极管(LED)和象素电路125。显示象素121由施加到扫描线S的扫描信号选中，并对应于提供给数据线D的数据信号而发光。
显示LED的阳极电极被连接到象素电路125，阴极电极被电连接到第二电源线152。从而，发光显示器的一个实施例可为有机发光显示器。有机发光显示器包括形成在阳极电极和阴极电极之间的空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)、由有机材料制成的发光层(EML)。另外，有机发光显示器还包括电子注入层(EIL)和空穴注入层(HIL)。在有机发光显示器的操作中，当将电压施加到阳极电极和阴极电极之间时，从阴极电极发射的电子通过电子注入层和电子传输层被传输向发光层，从阳极电极产生的空穴通过空穴注入层和空穴传输层被传输向发光层。结果，从电子传输层和空穴传输层提供的电子和空穴彼此碰撞复合而发光。
参照图2，象素电路125还包括第一和第二晶体管M1和M2以及电容C。第一晶体管M1的栅电极被连接到扫描线S，源电极被连接到数据线D，漏电极被连接到第一节点N1。第一晶体管被设定成响应于提供到扫描线S的扫描信号将来自数据线D的数据信号提供给第一节点N1。
第二晶体管M2的栅电极被连接到第一节点N1，其中第一晶体管M1的漏电极和电容C共同连接于第一节点N1。第二晶体管M2的源电极被连接到象素电源线VDD，漏电极被连接到显示LED的阳极电极。第二晶体管M2被设定成调节从象素电源线VDD施加到显示LED的电流，以基于供应到第二晶体管M2的栅电极的电压而从显示LED发光。
电容C被设定成存储与通过第一晶体管施加到第一节点N1的数据信号相应的电压，其中选择信号被提供到扫描线S，该扫描线连接到第一晶体管M1的栅电极。当第一晶体管M1打开时，电容C在一帧期间将第二晶体管M2保持在“ON”状态。
在发光显示器100中，每个显示象素121的象素电路125不限于两个晶体管M1和M2以及单个电容C，而是通常包括至少两个晶体管和至少一个电容。
图3是图1的发光显示器的测试象素的电路图。参照图1和图3，测试象素127包括形成在多条测试电源线128和第二电源VSS之间的多个测试LED。
每个测试LED的阳极电极被电连接到测试电源线128，阴极电极被电连接到第二电源线VSS。每个测试LED通过响应测试电源Vtest和第二电源之间的电势差的电流而发光，所述测试电源Vtest从测试电源供给垫片TPVdd通过测试电源线128而被提供，所述第二电源被提供给第二电源线152。
图4是图1中所示的A区的放大图，图5A至图5C是沿图4的线I-I’截取的截面图，依次示出了构造发光显示器的方法的一个实施例。
以下，将结合图4和图5A至图5C来描述构造显示部分120和测试象素部分126的方法。将仅采用每个显示象素121的象素电路125的显示LED和第二晶体管M2以示例的方式来描述构造显示部分120的方法。在一个实施例中，构造第一晶体管M1的方法与构造第二晶体管M2的方法相同。
首先，如图5A中所示，缓冲层210形成基板110的基本整个表面上。随着缓冲层210的形成，用于以预定图案形成的晶体管的半导体层221形成在缓冲层210上与显示部分210相应的显示象素区域中。在一个实施例中，半导体层221由多晶硅形成并通过对非晶硅的热处理得到。在某些实施例中，利用包括在行方向上采用准分子激光器扫描主流线束(line beam)的激光结晶化处理，非晶硅结晶为多晶硅。
在半导体层221形成之后，栅绝缘层230形成在缓冲层210和半导体层221上。栅绝缘层230可包括例如SiO2的绝缘材料。随着栅绝缘层230的形成，栅电极241形成在栅绝缘层230上以与半导体层221交迭。栅电极241可包括例如Al、MoW、Al/Cu的导电材料。在一个实施例中，扫描线S由与形成栅电极241相同的材料形成并与栅电极241同时形成。
在栅电极241形成之后，离子掺杂入基板110的半导体层221的源区域221s和漏区域221d。从而，在源区域221s和漏区域221d之间形成通道221c。
同样地，随着栅电极241的形成，隔层绝缘层250形成在栅电极241上。随后，接触孔265和267形成在隔层绝缘层250和栅绝缘层230内，以暴露出半导体层221。
在接触孔265和267形成之后，包含金属材料的源电极261和漏电极263，都按预定的图案形成在隔层绝缘层250上。通过接触孔265和267，源电极261和漏电极263分别电连接到源区域221s和漏区域221d。
数据线D和象素电源线VDD与源电极261和漏电极263一起形成。同时，测试电源线形成在基板上测试象素区域内的缓冲层210上，其中，测试电源线彼此按预定的间隔分隔开。在一个实施例中，采用与用于形成象素电源线VDD相同的掩模形成测试电源线128。
现在参照图5B，钝化层270对应于显示象素区域形成在基板110上。然后，接触孔272形成在钝化层270中以暴露出源电极261。在接触孔272形成之后，下电极层280(用作显示LED的阳极电极)形成在钝化层270上。从而，通过接触孔272，下电极层280电连接到源区域221s。
现在参照图5C，象素限定层285形成在显示象素区域的钝化层270和下电极层280上，象素限定层同时形成在测试象素区域(见图4)的测试电源线128上。分割象素区域的开口形成在象素限定层285中，显示LED形成在该开口中，同时，测试LED形成于在测试象素部分形成的测试电源线128上。在一个实施例中，采用与形成显示LED相同的掩模同时形成测试LED。
此外，作为发光二极管290和测试LED的阴极电极的上电极层VSS，形成在发光二极管290和测试LED上。上电极层VSS电连接到第二电源线152。
图6A至图6C是沿图4中所示的线I-I’截取的截面图，依次示出了构造发光显示器的方法的一个实施例。
以下，将结合图4和图6A至图6C来描述构造显示部分120和测试象素部分126的另一个方法。仅参照每个显示象素121的象素电路125的显示LED和第二晶体管M2来描述构造显示部分120的方法。在某些实施例中，构造第一晶体管M1的方法与构造第二晶体管M2的方法相同。
首先，如图6A所示，缓冲层210形成在基板110的基本整个表面上。随后，用于按预定图案形成的晶体管的半导体层221形成在基板110的显示象素区域内的缓冲层210上。在一个实施例中，半导体层221由多晶硅形成并通过对非晶硅的热处理得到。在某些实施例中，通过激光结晶处理，非晶硅结晶为多晶硅，该激光结晶处理包括在行方向上采用准分子激光器扫描主流线束。
在半导体层221形成之后，栅绝缘层230在基板110上形成在缓冲层210和半导体层221上方。栅绝缘层230可包括例如SiO2的绝缘材料。在栅绝缘层230形成之后，栅电极241形成在栅绝缘层230上以与半导体层221交迭。栅电极241可包括例如Al、MoW、Al/Cu的导电材料。在一个实施例中，扫描线S由与形成栅电极相同的材料形成并与栅电极241同时形成。然后，离子掺杂入基板110的半导体层221的源区域221s和漏区域221d。从而，在源区域221s和漏区域221d之间形成通道221c。
在栅电极241形成之后，隔层绝缘层250形成在栅电极241上。随后，接触孔265和267形成在隔层绝缘层250和栅绝缘层230上，以暴露出半导体层221。
在接触孔265和267形成之后，包含金属材料的源电极261和漏电极263按预定的图案形成在隔层绝缘层250上。通过接触孔265和267，源电极261和漏电极263分别电连接到源区域221s和漏区域221d。数据线D和象素电源线VDD与源电极261和漏电极263一起形成。
现在参照图6B，钝化层270形成在基板110上。然后，接触孔272形成在钝化层270中以暴露出源电极261。在接触孔272形成之后，用作显示LED的阳极的下电极层280形成在钝化层270上。从而，通过接触孔272，下电极层280电连接到源区域221s。此外，测试电源线128形成在测试象素区域内的钝化层270上并彼此按预定的间隔分隔开。在一个实施例中，采用与用于形成下电极层280相同的掩模同时形成测试电源线128。
现在参照图6C，象素限定层285形成在下电极层280、测试电源线128和钝化层270上。随着象素限定层285的形成，分割象素区域的开口形成在象素限定层285中，显示LED中形成在显示部分120的区域内形成的开口中，同时测试LED形成于在测试象素部分126形成的开口中。在一个实施例中，采用与用于形成显示LED相同的掩模同时形成测试LED。
最后，作为发光二极管290和测试LED的阴极电极的上电极层VSS，形成在发光二极管290和测试LED上。上电极层VSS电连接到第二电源线152。
回头参照图1，发光显示器100将扫描信号和数据信号提供给显示部分120，以使得每个显示象素121的显示LED能够发光。同时伴随着扫描信号和数据信号的供给，通过测试电源供给垫片TPVdd，将测试电源Vtest提供给测试象素部分126，并且测试LED响应测试电源Vtest而发光。从而，通过将与提供给显示部分120的测试信号相等的测试电源Vtest提供到测试电源供给垫片TPVdd以测量流过测试LED的电流，来评价测试LED的发光特性。因此，基于对测试LED的发光的分析，能够检测出诸如暗点、亮点、坏点和低亮度的缺陷。
因此，利用测试LED的发光特性，发光显示器100可评价形成在显示部分120中的显示LED的发光特性。更具体地讲，利用测试LED的发光特性，发光显示器100被设定成仅评价显示LED的发光特性而不受在显示部分120中晶体管影响。
图7是发光显示器另一个实施例的图例。参照图7，发光显示器700包括与图1的发光显示器100相似的构件，除了测试象素部分126之外。
图8是图7所示的B区的放大图，图9A至图9C是沿图8中所示的线II-II’截取的截面图，依次示出了构造发光显示器的方法的一个实施例。
参照图8和图9A至图9C，构造显示部分120和测试象素部分126的方法的另一个实施例与图5A至图5C中示出的并在相关处描述的相似，除了形成在缓冲层210上的测试电源线128形成在测试象素部分126的基本整个区域内。在一个实施例中，采用与用于形成显示部分120的象素电源线VDD相同的掩模，形成在测试象素部分126的整个区域内的测试电源线128同时形成在缓冲层210上。结果，测试象素部分126的测试LED在测试过程中同时地而不是单独地发光。因此，与发光显示器100相比，发光显示器700具有更少的形成在基板110上的测试电源供给垫片TPVdd。
图10A至图10C是沿图8中所示的线II-II’截取的截面图，依次示出了构造发光显示器700的方法的另一个实施例。参照图8和图10A至图10C，示出的构造显示部分120和测试象素部分126的方法，与图6A至图6C中示出的和在相关处描述的相似，除了形成在钝化层270上的测试电源线128形成在测试象素部分126的基本整个区域内。
在一个实施例中，采用与用于形成在显示部分120上形成的下电极层280相同的掩模同时形成测试电源线128。结果，测试象素部分126的测试LED在测试过程中同时地而不是单独地发光。
在操作中，通过将扫描信号和数据信号提供给显示部分120，发光显示器700从每个显示象素121的显示LED发光。同时伴随着扫描信号和数据信号的供给，通过测试电源供给垫片TPVdd，将测试电源Vtest提供给独立于显示部分120的测试象素部分126，从而从测试LED发光。从而，通过将与提供给显示部分120的测试信号相等的测试电源Vtest提供到测试电源供给垫片TPVdd并测量流过测试LED的电流，来评价测试LED的发光特性。因此，基于对测试LED的发光，能够评估出诸如暗点、亮点、坏点和低亮度的缺陷。
因此，利用测试LED的发光特性，发光显示器700可评价形成在显示部分120内的显示LED的发光特性。更具体地讲，利用测试LED的发光特性，发光显示器700可评价在显示部分120中显示LED的发光特性而不受晶体管影响。
图11是示出了图8所示的B区的可供选择的布局的放大图，图12是沿图11中所示的线III-III’截取的的截面图。
参照图11和图12，根据本发明的又一个实施例的发光显示器具有与其它实施例相似的构件，除了第二电源VSS单独地形成在显示部分120和测试象素部分126之间。
第二电源VSS具有第二显示电源VSS1和第二测试电源VSS2。电连接到第二显示电源VSS1的第二显示电源供给垫片PVss和电连接到第二测试电源VSS2的第二测试电源供给垫片TPVss形成在基板110上。
更具体地讲，对应于显示部分120，第二显示电源VSS1仅形成在基板110的显示象素区域内。第二显示电源VSS1电连接到构成显示部分120的每个象素121的显示LED的阴极电极。从而，第二显示电源VSS1将第二显示电压从第二显示电源供给垫片PVss提供到显示LED。另外，对应于测试象素部分126，第二测试电源VSS2仅形成在基板110的测试象素区域内。第二测试电源VSS2电连接到测试象素部分126的测试LED的阴极电极。结果，第二测试电源VSS2将第二测试电压从第二测试电源供给垫片TPVss提供到测试LED。
图13是示出了图1所示的A区的可供选择的布局图的放大图，图14是沿图13中所示的线IV-IV’截取的截面图。
参照图13和图14，发光显示器的另一个实施例包括与其它实施例相似的构件，除了第二电源VSS和测试电源线128之外。
第二电源VSS包括第二显示电源VSS1和第二测试电源VSS2。电连接到第二显示电源VSS1的第二显示电源供给垫片PVss和电连接到第二测试电源VSS2的TPVss形成在基板110上。
在一个实施例中，对应于显示部分120，第二显示电源VSS1仅形成在基板110的显示象素区域内。第二显示电源VSS1电连接到构成显示部分120的每个象素121的显示LED的阴极电极。从而，第二显示电源VSS1将第二显示电压从第二显示电源供给垫片PVss提供给显示LED。另外，对应于测试象素部分126，第二测试电源VSS2仅形成在基板110的测试象素区域内。第二测试电源VSS2电连接到测试LED的阴极电极。从而，第二测试电源VSS2将第二测试电压从第二测试电源供给垫片TPVss提供给测试LED的阴极电极。
仍然参照图13和图14，多条测试电源线128形成在钝化层270上，其中，测试电源线128形成在测试象素区域内以彼此按预定的间隔分隔开。在一个实施例中，多条测试电源线128独立地形成在测试象素部分126的区域内。在某些实施例中，采用与用于形成下电极层280相同的掩模同时形成测试电源线128。多条测试电源线128电连接到测试LED的阳极。从而，每条测试电源线128将测试电源从测试电源供给垫片TPVdd提供给测试LED的阳极。
如前述可见，发光显示器的实施例能够利用形成在基本哑区域内的测试象素部分来评价发光二极管的特性。在某些实施例中，构造发光显示器的方法包括在同一基板上同时形成具有主动驱动型象素和测试象素部分的显示部分，其中，主动驱动型象素包括晶体管而测试象素部分包括被动驱动型象素。因此，本发明的实施例能够在具有包括晶体管的象素电路的发光显示器中评价发光二极管的特性而不受晶体管影响。
虽然上述详细的描述已经显示、描述和指出了本发明实施为不同实施例时的新颖的特征，但是本领域的技术人员应该理解，在不脱离本发明的精神的情况下，可对所示出的装置和过程在形式和细节上作出各种省略、替换和改变。本发明的范围是由权利要求而不是前面的描述指出的。落于权利要求等同物的含义和范围内的所有的变化都将包含于它们的范围内。
权利要求
1.一种发光显示器，包括第一显示部分，形成在基板上，包括第一像素，其中，所述第一像素被设定成基于由具有至少一个晶体管的主动驱动像素电路提供的电流而发光；第二显示部分，形成在所述基板上，具有第二像素，其中，所述第二像素被设定成基于由被动驱动方法提供的电流而发光。
2.根据权利要求1所述的发光显示器，其中，所述第一像素包括发光二极管，所述发光二极管被设定成基于由第一电源线提供的电流而发光，其中所述像素电路电连接到扫描线、数据线和所述第一电源线。
3.根据权利要求1所述的发光显示器，其中，所述第二像素包括电连接到哑电源线和第二电源线的哑发光二极管。
4.根据权利要求1所述的发光显示器，其中，所述第二显示部分被设定为用于测试所述发光显示器。
5.根据权利要求3所示的发光显示器，其中，所述哑电源线公共地形成在所述第二显示部分中。
6.根据权利要求3所述的发光显示器，其中，多条哑电源线形成在所述第二显示部分中，并按预定的间隔彼此分隔开。
7.根据权利要求3所述的发光显示器，其中，所述第二电源线公共地形成在所述第一和第二显示部分。
8.根据权利要求3所述的发光显示器，其中，所述第二电源线独立地形成在所述第一和第二显示部分中。
9.根据权利要求2所述的发光显示器，其中，所述像素电路包括第一晶体管，由提供给扫描线的扫描信号控制，并被设定成输出在所述数据线上接收的数据信号；第二晶体管，设定成将来自所述第一电源线的电流提供给所述发光二极管，其中，所述电流对应于从所述第一晶体管提供给所述第二晶体管的栅电极的电压；电容，设定成存储对应于所述数据信号的电压，并基于所述存储电压来驱动所述第二晶体管。
10.一种发光显示器，包括显示部分，形成在基板上，包括被设定成基于电流来发光的像素，其中，所述电流由像素电路通过第一电源线提供，所述像素电路具有至少一个晶体管；测试部分，形成在所述基板上的哑区域内，包括哑像素，所述哑像素被设定成基于由哑电源线提供的电流而发光。
11.根据权利要求10所述的发光显示器，其中，所述像素包括发光二极管，所述发光二极管被设定成基于由所述像素电路通过所述第一电源线提供的所述电流而发光，其中，所述像素电路电连接到扫描线、数据线和所述第一电源线。
12.根据权利要求10所述的发光显示器，其中，所述哑像素包括电连接到所述哑电源线和第二电源线的哑发光二极管。
13.根据权利要求10所述的发光显示器，其中，所述像素电路包括第一晶体管，由提供给扫描线的扫描信号控制，其中所述第一晶体管被设定成输出来自数据线的数据信号；第二晶体管，设定成将来自所述第一电源线的电流提供给发光二极管，其中，所述电流对应于从所述第一晶体管提供给所述第二晶体管的栅电极的电压；电容，设定成存储对应于所述数据信号的电压，并基于所述存储电压来驱动所述第二晶体管。
14.一种发光显示器，包括显示部分，形成在基板的发光区域内，并设定成显示图像；测试部分，伴随所述显示部分形成在所述发光区域的哑区域内。
15.根据权利要求14所述的发光显示器，其中，所述显示部分包括像素电路，电连接到形成在基板中的扫描线、数据线和第一电源线；像素，包括发光二极管，所述发光二极管被设定成通过经所述像素电路接收来自所述第一电源线的电流而发光，其中，所述接收的电流对应于提供给所述数据线的数据信号。
16.根据权利要求14所述的发光显示器，其中，所述测试部分包括哑像素，所述哑像素包括电连接到形成在所述基板上的哑电源线和第二电源线的发光二极管。
17.一种构造发光显示器的方法，包括在基板的发光区域上形成像素电路，所述像素电路由多条扫描线、多条数据线和多条电源线限定出，其中，所述像素电路包括至少一个晶体管，所述晶体管被设定成对应于所述数据线的数据信号输出来自所述电源线的电流形成哑电源线，连接到所述测试像素电路的阳极电极和所述发光区域的哑区域；形成用于连接到所述像素电路的发光二极管，并形成用于连接到所述哑电源线的哑发光二极管；在所述发光二极管和所述哑发光二极管上形成阴极电极。
18.根据权利要求17所述的方法，还包括形成绝缘层，所述绝缘层被设定成使得所述发光二极管和所述哑发光二极管彼此分开。
19.根据权利要求17所述的方法，其中，所述发光二极管和所述哑发光二极管形成在由所述绝缘层暴露出的开口中。
20.根据权利要求17所述的方法，其中，形成哑电源线的步骤包括在所述哑区域内形成连续的哑电源线。
21.根据权利要求17所述的方法，其中，形成所述哑电源线包括在所述哑区域内形成多条哑电源线，其中，所述哑电源线按预定的间隔彼此分隔开。
22.根据权利要求17所述的方法，其中，形成所述像素电路包括在所述基板上形成缓冲层；在所述缓冲层上形成至少一个晶体管和电容；形成覆盖所述晶体管的钝化层。
23.根据权利要求22所述的方法，其中，所述哑电源线形成在所述缓冲层和所述钝化层之一上。
24.根据权利要求17所述的方法，其中，所述阴极电极连续地形成在所述发光区域和所述哑区域内。
25.根据权利要求17所述的方法，其中，所述阴极电极分离地形成在所述发光区域和所述哑区域内。
全文摘要
本发明公开了一种发光显示器和构造所述发光显示器的方法，其中，所述发光显示器能够测量发光二极管的特性而不受晶体管影响。所述发光显示器的实施例包括第一显示部分，形成在基板上并具有第一像素，所述第一像素被设定成基于来自具有至少一个晶体管的主动驱动像素电路的电流而发光；第二显示部分，具有第二像素，所述第二像素被设定成基于由基板上的被动驱动型提供的电流而发光。因此，在所述发光显示器中，可利用形成在所述基板的哑区域内的测试像素部分来测量发光二极管的发光特性而不受晶体管影响。
文档编号H05B33/08GK1744181SQ20051009358
公开日2006年3月8日 申请日期2005年8月26日 优先权日2004年8月30日
发明者徐美淑, 金秉熙 申请人:三星Sdi株式会社