技术编号:6972204
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种半导体芯片封装结构。 背景技术第三代半导体氮化镓(GaN)的介质击穿电场远远高于第一代半导体硅(Si)或第 二代半导体砷化镓(GaAs),高达3MV/cm,使其电子器件能承受很高的电压。同时,氮化镓可 以与其他镓类化合物半导体(III族氮化物半导体)形成异质结结构。由于III族氮化物 半导体具有强烈的自发极化和压电极化效应,在异质结的界面附近,可以形成很高电子浓 度的二维电子气ODEG)沟道。这种异质结结构也有效的降低了电离杂质散射,因此...
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