技术编号:6973759
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及半导体功率器件和集成电路,更具体地说,涉及LIGBT输出级集成电路。背景技术高压功率集成电路将高压功率器件与低压控制和保护电路单片集成,减少了系统中的元件数、互连数和焊点数,不仅提高了系统的可靠性、稳定性,而且减少了系统的功耗、 体积、重量和成本。横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管LDMOS由于器件所有电极均位于芯片表面,易于通过内部连接实现与低压器件和电路的单片集成,并且其驱动电路简单,使之广泛应用于高压功率集成电路中。然而,由于LDM...
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