技术编号：6977845
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于形成硼-碳-氮膜的方法和设备、绝缘膜以及半导体集成电路。背景技术 通常，在半导体集成电路中，通过等离子体CVD(化学汽相淀积)法形成的SiO2或SiN膜已经用做布线的层间绝缘薄膜或保护膜。然而，随着晶体管的集成度的增加，布线间(inter-wiring)电容导致布线延迟，并且作为妨碍加速元件的开关速度的因素而成为问题。为了解决这个问题，需要减小布线间绝缘薄膜的介电常数，并且希望具有新介电常数的材料作为层间绝缘膜。在这种情况下，有机材料和多孔材...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。