技术编号：6980261
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及密封电介质层的使用，该密封电介质层施加在多孔电介质层与金属扩散阻挡层之间。该密封电介质层封闭多孔电介质层表面和侧壁上的孔。本发明允许使用薄的金属扩散阻挡层，而不会在金属扩散阻挡层内生成针孔或者不会在多孔材料块体内发生扩散。背景技术传统上，物理汽相沉积(PVD)金属阻挡材料，如TaN，用于防止互连金属，特别是铜(Cu)，扩散进入半导体器件上的电介质层内。小型化设计法则的趋势导致开始需要介电常数(DK)低于4-4.2(其典型地通过PECVD氧化物电介...
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