技术编号:6980630
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明总体而言涉及静电放电(ESD)保护电路领域,更具体而言,涉及对一种集成电路(IC)的多指式MOS保护电路的改进。背景技术 在CMOS技术中,鲁棒的NMOS及其它ESD保护对于获得高度的ESD鲁棒性而言甚为重要。在选择采用硅化物局部阻断的工艺中,引入了镇流电阻来保证等电流分布及一致的多指触发。为获得具有高故障临限值及良好箝位能力的足够高的ESD保护电平,必须提供足够大的装置宽度。因此,目前已构建了若干多指式MOS结构来进行ESD保护。此外,由于焊垫间距...
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