非易失性半导体存储器的制作方法技术资料下载

技术编号:6983338

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本发明涉及包括至少一个EPROM(可擦除可编程只读存储器)/EEPROM(电可擦除可编程只读存储器)存储单元的非易失性半导体存储器,该EPROM/EEPROM存储单元包含浮栅晶体管和耦合电容器,所述浮栅晶体管包括场效应晶体管和多晶硅层,该耦合电容器包括第一电极和第二电极以及插入在所述电极之间的电介质。本发明还涉及显示器器件和用于控制显示器器件的装置。EPROM/EEPROM存储单元被用来建造非易失性半导体器件,特别地用于集成电路(嵌入式EPROM/EEPR...
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