技术编号:6985429
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及集成电路封装领域,尤其涉及一种功率半导体器件的封装结构。 背景技术在目前大多数IPMdntelligent Power Module,智能功率模块)封装的内部结构基本上都采取引线框架与DBC (Direct Bonded Copper,覆铜陶瓷基板)混合的结构形式。 这些IPM产品的内部IGBT驱动部件(IGBT驱动芯片、门极电阻等)都放置在引线框架上,由于这些引线框架是金属材质的,放置这些作为IGBT驱动部件的功率器件时,不可避免会引起电路...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。