专利名称：一种功率半导体器件的封装结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及集成电路封装领域，尤其涉及一种功率半导体器件的封装结构。
背景技术：
在目前大多数IPMdntelligent Power Module，智能功率模块)封装的内部结构基本上都采取引线框架与DBC (Direct Bonded Copper,覆铜陶瓷基板)混合的结构形式。 这些IPM产品的内部IGBT驱动部件(IGBT驱动芯片、门极电阻等)都放置在引线框架上，由于这些引线框架是金属材质的，放置这些作为IGBT驱动部件的功率器件时，不可避免会引起电路的干扰，而且在焊接电阻的时候还要在电阻与引线框架之间加一绝缘层。所以，在设计IPM封装的内部电路时，如果仅用引线框架与DBC板(覆铜陶瓷基板)混合的结构形式作为电路搭建的基板，将会遇到电路干扰、导电线路布线困难以及空间利用率低等问题。如图1所示，是目前主流IPM模块内部整体框架图。它由三部分组成带IGBT驱动元器件的引线框架1、焊有IGBT和FRD (Fast Recovery Diode，快恢复二极管)的DBC板或者引线框架3、与3连接的带引脚的引线框架2。这样的框架结构模型把绝大部分的设计压力都放到引线框架1上，即IGBT的驱动元器件如驱动芯片、门极电阻、电容等都移植到引线框架1上面进行搭线焊接。但由于引线框架1本身是金属材质具有导电特性，故会影响到在其上面搭线焊接的IGBT驱动元器件的工作。
发明内容本实用新型解决的技术问题是现有技术中均利用引线框架承载半导体芯片，使得电路干扰严重、导电线路布线困难以及空间利用率低的问题。为解决上述技术问题，本实用新型提供如下技术方案一种功率半导体器件的封装结构，包括具有导电线路的绝缘基板，所述绝缘基板具有第一表面，所述第一表面上装载第一半导体芯片；第二基板，所述第二基板具有第二表面，所述第二表面装载第二半导体芯片；第一引脚，与所述第一半导体芯片电连接；第二引脚，与所述第二半导体芯片电连接；所述具有导电线路的绝缘基板、第一半导体芯片、第二基板、第二半导体芯片、第一引脚的部分以及第二引脚的部分密封于树脂内。进一步地，所述具有导电线路的绝缘基板包括印刷电路板。优选地，所述第二基板为陶瓷基板。进一步地，所述陶瓷基板第二表面相对的表面覆盖有散热层。优选地，所述散热层为铜层。优选地，所述第二基板为覆盖有绝缘层的引线框架。进一步地，所述第一半导体芯片和第二半导体芯片电连接。优选地，所述第一半导体芯片和第二半导体芯片通过绑线电连接。进一步地，所述第二半导体芯片为IGBT和快恢复二极管。进一步地，所述第一半导体芯片包括IGBT的驱动芯片。[0016]与现有技术相比本实用新型具有如下有益效果本实用新型实施例提供的一种功率半导体器件的封装结构，利用具有导电线路的绝缘基板承载半导体芯片，解决了金属的引线框架所引起的电路干扰的问题，由于绝缘基板可以多层布线，进一步使得导电线路布线容易并且提高了空间利用率。
图1是现有技术中智能功率模块内部整体框架图。图2是本发明实施例功率半导体器件的封装结构框架图。
具体实施方式
为了使本实用新型所解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，
以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。图2是本发明实施例功率半导体器件的封装结构框架图；一种功率半导体器件的封装结构，包括具有导电线路的绝缘基板20，所述绝缘基板具有第一表面，所述第一表面上装载第一半导体芯片21 ；第二基板30，所述第二基板具有第二表面，所述第二表面装载第二半导体芯片31 ；第一引脚10，与所述第一半导体芯片21电连接；第二引脚40，与所述第二半导体芯片31电连接；所述具有导电线路的绝缘基板20、第一半导体芯片21、第二基板30、第二半导体芯片31、第一引脚10的部分以及第二引脚40的部分密封于树脂内。本实施例利用具有导电线路的绝缘基板承载半导体芯片，解决了金属的引线框架所引起的电路干扰的问题，由于绝缘基板可以多层布线，进一步使得导电线路布线容易并且提高了空间利用率。本实施例中，具有导电线路的绝缘基板20包括印刷电路板，有效地解决了金属的引线框架所引起的电路干扰的问题；印刷电路板承载的第一半导体芯片21为IGBT的驱动芯片，还包括IGBT的门极电阻、门极电容等；该印刷电路板可以根据用户需求进行多层布线，可以最大程度地利用空间，并且使得布线更加容易。与印刷电路板相邻的第二基板为陶瓷基板，与陶瓷基板装载第二半导体芯片31的第二表面相对的表面覆盖有散热层，为了很好的散热，该散热层可以为铜层；根据用户需要，该散热层也可以是其他的散热材料。在其他的实施例中，第二基板可以为覆盖有绝缘层的引线框架；该引线框架为金属材料，也可以实现较好的散热功能。本实施例中，第二基板的第二表面承载的第二半导体芯片为IGBT和快恢复二极管；该IGBT和快恢复二极管与印刷电路板上的IGBT驱动芯片等电连接；该电连接的方式可以通过绑线电连接。本实施例中，第一半导体芯片中IGBT的驱动芯片、IGBT的门极电阻、门极电容等的部分电信号通过第一引脚10与树脂封装壳体的外部进行信号电连接，该IGBT的驱动芯片、IGBT的门极电阻和门极电容与第一引脚10通过绑线电连接。IGBT和快恢复二极管中的一部分与第二引脚40通过绑线电连接，IGBT和快恢复二极管中的另一部分与第二引脚 40通过焊盘焊接，具体需要什么样的电连接方式，用户可以根据实际芯片的封装来决定； 该IGBT和快恢复二极管中的部分电信号通过第二引脚40与树脂封装壳体的外部进行信号电连接。 以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
权利要求1.一种功率半导体器件的封装结构，其特征在于，包括具有导电线路的绝缘基板，所述绝缘基板具有第一表面，所述第一表面上装载第一半导体芯片；第二基板，所述第二基板具有第二表面，所述第二表面装载第二半导体芯片； 第一引脚，与所述第一半导体芯片电连接； 第二引脚，与所述第二半导体芯片电连接；所述具有导电线路的绝缘基板、第一半导体芯片、第二基板、第二半导体芯片、第一引脚的部分以及第二引脚的部分密封于树脂内。
2.根据权利要求1所述的功率半导体器件的封装结构，其特征在于，所述具有导电线路的绝缘基板进一步包括印刷电路板。
3.根据权利要求1所述的功率半导体器件的封装结构，其特征在于，所述第二基板为陶瓷基板。
4.根据权利要求3所述的功率半导体器件的封装结构，其特征在于，所述陶瓷基板第二表面相对的表面覆盖有散热层。
5.根据权利要求4所述的功率半导体器件的封装结构，其特征在于，所述散热层为铜层。
6.根据权利要求1所述的功率半导体器件的封装结构，其特征在于，所述第二基板为覆盖有绝缘层的引线框架。
7.根据权利要求1所述的功率半导体器件的封装结构，其特征在于，所述第一半导体芯片和第二半导体芯片电连接。
8.根据权利要求7所述的功率半导体器件的封装结构，其特征在于，所述第一半导体芯片和第二半导体芯片通过绑线电连接。
9.根据权利要求1所述的功率半导体器件的封装结构，其特征在于，所述第二半导体芯片为IGBT和快恢复二极管。
10.根据权利要求1所述的功率半导体器件的封装结构，其特征在于，所述第一半导体芯片包括IGBT的驱动芯片。
专利摘要本实用新型公开了一种功率半导体器件的封装结构，包括具有导电线路的绝缘基板，所述绝缘基板具有第一表面，所述第一表面上装载第一半导体芯片；第二基板，所述第二基板具有第二表面，所述第二表面装载第二半导体芯片；第一引脚，与所述第一半导体芯片电连接；第二引脚，与所述第二半导体芯片电连接；所述具有导电线路的绝缘基板、第一半导体芯片、第二基板、第二半导体芯片、第一引脚的部分以及第二引脚的部分密封于树脂内。本封装结构利用具有导电线路的绝缘基板承载半导体芯片，解决了金属的引线框架所引起的电路干扰的问题，由于绝缘基板可以多层布线，进一步使得导电线路布线容易并且提高了空间利用率。
文档编号H01L23/373GK201946588SQ20102068895
公开日2011年8月24日 申请日期2010年12月30日 优先权日2010年12月30日
发明者吴德皇, 宋淑伟, 朱克干 申请人:比亚迪股份有限公司