技术编号:6986362
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种绝缘栅场效应晶体管,更具体而言,涉及一种能够提高沟道迁移率的绝缘栅场效应晶体管。背景技术近些年来,为了实现在半导体器件中的高反向击穿电压和低损耗以及其在高温环境中的使用,碳化硅(SiC)已经开始被用作半导体器件的材料。碳化硅是其具有的带隙比硅(Si)的带隙更大的宽带隙半导体,硅传统上已经被广泛地用作半导体器件的材料。因此,作为半导体器件的材料的碳化硅的采用将实现在半导体器件中的高反向击穿电压、降低的导通电阻等。此外,当在高温环境中使用以碳化硅...
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