技术编号：6986983
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及包括LED芯片(发光二极管芯片)的发光器件。特别是，本发明涉及一种发光器件，其包括阳电极、P-型氮化物半导体层、以及位于阳电极和P-型氮化物半导体层之间的电介质层。电介质层位于沿垂直于LED芯片厚度方向的平面的预定区域中。背景技术常规地，对大量LED芯片进行了研究。在先的LED芯片包括发光层、阳电极和阴电极。发光层由氮化物半导体材料例如GaN、InGaN、AlGaN和InAlGaN制成。阳电极设置在发光层的厚度方向的一个表面上，阴电极设置在发光层...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。