技术编号:6987587
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路,尤其涉及晶体管,其具有复杂掺杂分布并包括应变诱导合金,例如硅/锗合金,以在沟道区中产生应变。背景技术依据特定的电路布局,在特定的芯片面积上,集成电路包括大量的电路组件,其中,晶体管,例如场效应晶体管,是重要的组件,其用作开关组件、电流和/或电压放大器。 该些晶体管形成于基本结晶的半导体区域之中及上方,其中,该基本结晶半导体区域具有额外的掺杂材料形成于特定的基板位置以充当有源區,亦即,至少临时充当导电区域以形成控制电流。一般而言,目前实施...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。