技术编号：6989378
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及形成膜的。 背景技术作为使用铜(Cu)的配线的罩膜，如日本特开2003-243392号公报所记载，研究了以使用铜的配线作为催化剂，通过无电解镀处理方法选择生长得到的导电性的钴-钨-磷 (CoffP)膜等。发明内容然而，由于CoWP膜以使用铜的配线作为催化剂，通过无电解镀处理方法成膜， CoWP膜在配线上各向同性地生长。因此，CoWP膜，特别是若膜厚变厚，则不仅在使用铜的配线上成膜，在层间绝缘膜上也成膜。另外，在铜的除去不完全、铜的残渣残留在层间绝...
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