技术编号:6991117
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般地涉及集成电路的制造,并且特别地涉及前段工艺(Front-End ofthe Line)(FEOL)处理,以及更特别地涉及用于在具有窄的栅极长度的场效应晶体管(FET)中制造硅化物的方法及结构。 背景技术在CMOS (互补金属-氧化物半导体)器件(例如,FET (场效应晶体管))的制造中,将硅化物用作触头材料是熟知的。硅化物给FET源极区/漏极区以及栅极导体提供了具有相对低的薄层电阻的材料,其中相对低的薄层电阻还会导致相对低的接触电阻。低的薄层电...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。