技术编号：6991254
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。通过使用离子注入引入压缩金属栅极应力而在三栅极 MOSFET中实现驱动电流增强背景技术将碳掺杂硅外延层沉积在三栅极晶体管的源区和漏区，以在晶体管的沟道中生成拉伸应力，从而增强沟道的载流子迁移率和驱动电流。但是该技术仅提供了相对较低的载流子迁移率，并且因此具有相对较低的饱和漏电流Idsat和线性漏电流Idlin。附图说明在说明书附图的图示中，通过示例的方式而非通过限制的方式来说明在这里公开的实施例，在附图中相似的附图标记指代类似的元件，并且其中图I描绘了根据...
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