技术编号:6991796
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。依据本发明的实施例大体上属于半导体装置。背景技术为了节约功率,降低晶体管中功率损耗是很重要的。在金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)装置中,并且尤其在被熟知为功率MOSFET的MOSFET种类中,可通过降低装置的漏极到源极的接通电阻(Rdson)来降低功率损耗。分栅式功率M0SFET,也被公知为屏蔽栅极沟槽式M0SFET,利用外延层中较大的掺杂浓度来降低Rdson。分栅式功率MOSFET结合沟槽式栅极,该沟槽式栅极包括第一电极(例如,多晶硅,或多晶...
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