技术编号:6991797
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种在III族氮化物半导体上制作的半导体器件。背景技术对于高功率电子器件应用,III族氮化物基器件相对于硅基器件具有很多潜在的材料优点。其中,这些包括更大的带隙和击穿场、二维电子气(2DEG)中的高电子迁移率、低热生成电流(thermal generation current)和使用直接带隙的可能性,还加上在很多用于新颖的器件功能的这些结构中可应用的各种能带和极化设计技术。然而,由于缺少用于器件制作的低成本的衬底而使得阻碍了应用。 有时在诸如碳化...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。