技术编号：6991799
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及磁记录介质的磁性体薄膜，特别是采用垂直磁记录方式的硬盘的颗粒磁记录膜的成膜中使用的在Co或Co合金相中分散有氧化物相的溅射靶等；本发明涉及飞弧少、在用磁控溅射装置溅射时可以得到稳定的放电，并且密度高、在溅射时产生的粉粒少的溅射靶和可以通过该靶的溅射制造的磁性体薄膜以及使用该磁性体薄膜的磁记录介质。背景技术在磁记录的领域，正在开发通过在磁性体薄膜中微细分散非磁性材料来提高磁特性的技木。作为其一例可以举出，在采用垂直磁记录方式的硬盘的记录介质中，采用...
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