技术编号：6992759
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。该发明涉及一种碳化硅半导体装置等功率半导体器件。背景技术在功率半导体器件中，已知有如下结构(例如，专利文献I)能够将电流检测用元件配置在同一衬底、并根据过电流检测来切断元件以保护元件。在专利文献I中记载有如下结构在将电流检测元件配置于同一衬底的IGBT (Insulated Gate BipolarTransistor 绝缘栅双极晶体管)等半导体器件的电流检测元件的电流检测用键合焊盘的下部形成了与基底区相同的P型区。另外，在专利文献2所述的由功率纵型金属-...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。