技术编号:6992886
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。背景技术GaN系肖特基势鱼二极管(GaN-SBDSchottky barrier diode)因其物性特征而备受期待作为高耐压且能够高速动作的设备应用于服务器系统等。为了在GaN-SBD中降低能量损失,重要的是降低通态电阻和正向电压。对于通态电阻和正向电压的降低,有效的是降低阳极电极(肖特基电极)的功函数。另一方面,阳极电极的功函数与反向耐压是制衡的关系。因此,如果为了降低通态电阻和正向电压而降低阳极电极的功函数,则反向耐压降低。因此,为了高耐...
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