技术编号:6993452
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明的示例性实施例涉及一种制造半导体器件的方法,更具体而言,涉及一种具有单侧接触(OSC)结构的半导体器件及其制造方法。背景技术当在垂直栅(VG)的单元中使用掩埋位线(BBL)时,两个单元与一个掩埋位线相邻。为了使一个掩埋位线仅驱动一个单元,在一个单元的有源区中形成单侧接触,以便仅驱动那个单元并且使相邻的单元绝缘。在此,单侧接触是指沿着有源区的一个侧壁的部分,该部分允许有源区与其相应位线之间电接触。掩埋位线的高度通常较小,因此,可能难以在有源区的侧壁的部...
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