技术编号：6994933
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种。 背景技术以前，在半导体器件中使用多晶硅栅极和多硅酸盐栅极等作为栅极，多晶硅栅极存在以下问题因栅极损耗现象引起的栅极绝缘膜的有效厚度增加，因掺杂物从P+或N+多晶硅栅极渗透到衬底的现象和掺杂物分布变化引起的阈值电压的变化等。利用现有的多晶硅的栅极还存在所谓的在宽度很细小的线上无法实现低电阻值的问题。为了解决上述问题，现有技术通过在制造金属栅极时不使用掺杂物，不仅解决了因现有的多晶硅栅极产生的问题，而且，作为金属栅极，...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。