技术编号:6995225
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种,特别是指ー种利用源极与漏极间的深沟绝缘结构以提高崩溃电压的。背景技术图I显示ー种高压 元件剖视图,其结构如下。于P型基板11中形成绝缘结构12以定义第一元件区100与第二元件区200,绝缘结构12例如为区域氧化(local oxidation ofsilicon, L0C0S)结构。于P型基板11上,形成栅极13 ;于第一元件区100中,形成N型源极14、P型本体极16、与P型本体区17 ;于第二元件区200中,形成N型漏极15 ;在源极1...
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