技术编号:6996736
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种,特别是指一种具有环状结构栅极的。背景技术图1A-1C显示现有技 术的双扩散金属氧化物半导体元件(double diffused metaloxide semiconductor, DMOS)俯视视图与剖视图。请同时参照图1A-1C,于P型娃基板11中形成绝缘结构12以定义第一元件区100与第二元件区200,绝缘结构12例如为区域氧化(local oxidation of silicon, LOCOS)结构。于基板11上,形成栅极13 ;于第...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。