技术编号：6996771
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及浅沟槽隔离(Shallow Trench Isolation, STI)的制备方法，尤其涉及 一种。背景技术随着集成电路的发展，现在的CMOS芯片通常在一块普通的硅衬底材料上集成数 以百万计的有源器件，比如NMOS晶体管和PMOS晶体管等，然后通过特定的连接实现各种复 杂的逻辑功能或模拟功能，而除了这些特定的功能外，在电路的设计过程中，通常假设不同 的器件之间一般没有其他的相互影响。因此在集成电路制造中必须能够把器件隔离开来， 这就需要隔离技术。...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。