技术编号:6996775
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造,特别涉及一种形成于。背景技术按照数据存储方式,半导体存储器分为动态随机存取存储器(DRAM),非挥发性存储器和静态随机存取存储器(SRAM)。SRAM能够以一种简单而且低功耗的方式实现快速的操作速度,因而建立起其独特的优势。而且,与DRAM相比,因为SRAM不需要周期性刷新存储的信息,所以设计和制造相对容易。通常,SRAM单元由两个驱动晶体管、两个负载器件和两个存取晶体管组成。一个传统的完全CMOS SRAM的电路在图1中示出。如图1...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。