技术编号:6997344
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体,更为具体的,本发明涉及一种。背景技术半导体制造エ艺是ー种平面制造エ艺,其在同一衬底上形成大量各种类型的复杂器件,并互相连接以具有完整的电子功能。在这ー制造过程中,常需要在衬底上形成大量的沟槽,其可通过填充金属形成金属互连结构。随着对超大規模集成电路高集成度和高性能的需求逐渐增加,半导体技术向着65nm甚至更小特征尺寸的技术节点发展,而芯片的运算速度明显受到金属导电所造成的电阻电容延迟的影响。为了改善集成电路的性能,利用具有低电阻率、优良抗...
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