技术编号:6997819
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于ー种半导体装置,且特别是有关于ー种使用在高电压装置的半导体装置。背景技术横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)装置传统上应用于高电压应用。图I绘示传统横向双扩散金属氧化物半导体的例子。图I中的传统横向双扩散金属氧化物半导体包括高电压N型阱区域102于P型衬底100上。P型阱110与N型阱120形成于高电压N型阱区域102中。栅极通过栅极氧化层175与多晶硅栅极层170形成。栅极层170的一部分,被称为场板,也延伸于中央场氧化(FOX)区域1...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。