技术编号:7000136
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路,尤其涉及一种高压功率集成电路隔离结构。 背景技术功率集成电路内部包含低压控制电路和功率器件两大部分,要成功地将CMOS、 Bipolar,DMOS和LIGBT等高低压器件集成在同一块芯片中,一方面必须在制备工艺上相互兼容,另一方面必须解决好器件与器件之间、器件与电路之间等的隔离问题。隔离结构的性能优劣,直接关系到低压控制电路和功率器件能否最大限度的发挥各自的优势,同时也极大影响PIC产品的实现难度、成品率和生产成本。目前,比较常见的隔离...
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