技术编号:7000153
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施方式涉及半导体装置。 背景技术上下电极结构的功率 MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 金属氧化物半导体场效应型晶体管)的导通电阻很大程度依存于漂移层的电阻。决定该漂移层电阻的杂质掺杂浓度,根据基极层和漂移层所形成的Pn结的耐压而不能提高到界限以上。因此,对于元件耐压和导通电阻,存在权衡(trade-off)的关系。改善该权衡对低消耗功率元件很重要。该权衡具有取决于元...
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