技术编号:7000490
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。更特别地,本公开涉及金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)及其制造方法。背景技术近年来,随着对电子设备体积减小的需求,诸如场效应晶体管之类的半导体器件(例如金属氧化物场效应晶体管)的尺寸也在不断减小,从而沟道尺寸也相应减小。当沟道尺寸减小到一定程度后,源区和漏区的耗尽区在整个沟道中所占的比重增大并且在横向上彼此接近,从而发生短沟道效应(SCE)。虽然减小栅极氧化物厚度和减小栅极电压可在一定程度上减轻短沟道效应的影 响,但是由于必须考虑防击穿性能...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。