技术编号:7001061
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体,尤其涉及。背景技术作为第三代半导体材料,GaN基材料具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度大、化学稳定性好、抗辐射、耐高温、易形成异质结等优势,成为制造高温、高频、大功率、抗辐射高电子迁移率晶体管(HEMT)结构的首选材料。GaN基异质结构具有很高的载流子浓度和电子迁移率,其导通电阻小,并且宽禁带的优势使得其能够承受很高的工作电压。因此,GaN基HEMT非常适用于高温高频大功率器件、低损耗功率开关器件等应用领域。GaN基材料具有强的自发极化效应...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。