技术编号:7002011
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及薄膜晶体管(TFT)的制作技术,具体涉及一种低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT)阵列基板及其制作方法。背景技术由于非晶硅本身自有的缺陷问题,如缺陷态多导致的开态电流低、迁移率低、稳定性差等,使其在很多领域的应用受到限制。为了弥补非晶硅本身的缺陷,扩大相应产品在相关领域的应用,低温多晶娃(LTPS, Low Temperature PloySilicon)技术就应运而生。如图I所示,传统的LTPS TFT阵列基板从下到上依次包括基板10、缓冲(...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。