技术编号：7002012
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域，具体地说涉及。背景技术随着半导体行业的发展，具有更高性能和更强功能的集成电路要求更大的元件密度，而且各个部件、元件之间或各个元件自身的尺寸、大小和空间也需要进一步缩小(目前已经可以达到45纳米以下)，因此半导体器件制造过程中对工艺控制的要求也越来越细化。很多情况下需要平衡各个工艺步骤的特定要求，达到最好的工艺控制效果。传统半导体替代栅工艺中，大多采用多晶硅材料来制造伪栅结构，虽然多晶硅可以耐高温，在对器件进行退火处理时，不会影响其...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
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